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總投資55億！碳化硅產(chǎn)業(yè)園項目落地內(nèi)蒙古

CSPSD 2025前瞻|東南大學魏家行：碳化硅功率MOSFET關鍵技術新進展

CSPSD 2025前瞻|山東大學彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質散熱結構的器件應用研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補償技術

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結溫測量方法研究

CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇：破界·賦能·引領——化學氣相法碳化硅襯底技術創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀元

基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET

泰科天潤“一種超結快恢復平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目

三安半導體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質量

ULVAC中國總裁楊秉君：車規(guī)級碳化硅市場發(fā)展正當時，將持續(xù)深耕中國市場

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質量

碳化硅外延供應商瀚天天成沖刺港交所

2025新能源汽車增速拐點將至，碳化硅行業(yè)亟需開辟第二戰(zhàn)場

魯晶半導體與山東大學共建碳化硅功率器件產(chǎn)學研合作新生態(tài)

金威源與杰平方正式簽署碳化硅戰(zhàn)略合作

山西中電科公司新研碳化硅化學氣相沉積裝備技術指標達到行業(yè)領先水平

天科合達申請在坩堝內(nèi)部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的專利，能夠明顯提高原料利用率

西湖儀器：實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離

全球首發(fā)！天岳先進攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品震撼登場SEMICON China 2025

臻晶半導體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術，全新解決方案引領行業(yè)潮流！

江蘇超芯星半導體申請一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光方法專利，顯著降低生產(chǎn)成本

泰科天潤“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

超高壓碳化硅大功率芯片項目簽約

超高壓碳化硅大功率芯片項目成功簽約！

安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本

芯粵能半導體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺

三安光電：重慶8英寸碳化硅襯底目前周產(chǎn)能達500片/周

總投資約70億！蘇州又一碳化硅（SiC）項目建成

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