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意法半導(dǎo)體和空客達(dá)成合作，SiC和GaN將登上飛機(jī)

Transphorm與美國(guó)國(guó)家安全技術(shù)加速機(jī)構(gòu)簽訂協(xié)議用于開發(fā)GaN外延片

【CASICON 2023】湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院（集成電路學(xué)院）李陽(yáng)鋒：原位AlGaN插入層降低InGaN LED漏電流

【CASICON 2023】河北工業(yè)大學(xué)張紫輝教授：GaN功率電子器件的物理建模與制備研究

材料深一度|手機(jī)快充進(jìn)入個(gè)位數(shù)時(shí)代 GaN功不可沒

SNS Insider：2030年GaN半導(dǎo)體器件市場(chǎng)將達(dá)到107.3億美元

國(guó)際SiC/GaN產(chǎn)業(yè)格局或加快成型

賽微電子：GaN 業(yè)務(wù)積極推進(jìn) 已推出數(shù)款GaN功率芯片產(chǎn)品并進(jìn)入小批量試產(chǎn)

英諾賽科發(fā)布兩款 40V VGaN 新品，均采用WLCSP封裝

標(biāo)準(zhǔn) | 《Sub-6GHz GaN 射頻產(chǎn)品可靠性篩選和驗(yàn)收方法》等5項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

英諾賽科VGaN助力一加Ace2發(fā)布，打造全新快充體驗(yàn)

Yole：2027年功率 GaN 器件市場(chǎng)價(jià)值或達(dá)20 億美元，預(yù)期年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá) 59%

英飛凌收購(gòu)GaN Systems，留給競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的時(shí)間不多了！

重磅收購(gòu)！英飛凌57億元收購(gòu)氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems

廈門大學(xué)副教授高娜：基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光發(fā)射調(diào)控

鋮昌科技新產(chǎn)品GaN功率放大器芯片已實(shí)現(xiàn)規(guī)模應(yīng)用

GaN微波單片集成電路MPW流片加工延期公告

GaN IDM高新技術(shù)企業(yè)英諾賽科攜產(chǎn)品將亮相IFWS&SSLCHINA 2022

晶方科技完成對(duì)GaN器件設(shè)計(jì)公司VisIC投資

中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)獲得立項(xiàng)

賽微電子已具備6-8英寸GaN外延材料生長(zhǎng)能力正在推動(dòng)山東GaN產(chǎn)線建設(shè)

CASA發(fā)布《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告

GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供貨商Transphorm拓展中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)，擴(kuò)大氮化鎵應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室

國(guó)博電子：積極布局以GaN為代表的第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域

GaN功率半導(dǎo)體的2023預(yù)測(cè)

中鎵半導(dǎo)體：挑戰(zhàn)最高GaN體電阻率，開發(fā)更高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn) | CASA立項(xiàng)《射頻GaN HEMT結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸霍爾測(cè)量方法》等5項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

納微氮化鎵（GaN）半橋功率芯片專利布局解讀

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

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