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標準 | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

標準 | 《高頻開關應用下GaN HEMT開關可靠性試驗方法》發(fā)布

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術

標準/“GaN HEMT開關可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

標準 |《UIS應力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

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CSPSD 2025前瞻|南京大學陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運與調控

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法

CSPSD 2025前瞻|中國科學院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

標準 | 《UIS應力下GaN HEMT在線測試方法》形成委員會草案

材料深一度｜一篇帶你了解GaN HEMT最全產品情況

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

UIS應力下GaN HEMT在線測試方法征求意見

投資949億韓元 Chemtronics將開始建設第8代OLED蝕刻工廠

CASA立項GaN HEMT非鉗位感性負載開關魯棒性測試方法1項團體標準

標準 | 2項GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試標準形成委員會草案

新微半導體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權

北京大學申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導通電阻進而降低損耗

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《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試方法》等兩項團體標準形成征求意見稿

CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大學孫佳慧：肖特基型p-GaN柵GaN HEMT的柵極抗靜電魯棒性

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試方法》等兩項團體標準形成征求意見稿

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揚杰科技申請高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

北京大學申請高動態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動態(tài)穩(wěn)定性

性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產品

CASICON西安前瞻| 中國科學院半導體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進展

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