據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法“，公開(kāi)號(hào)CN117637475A，申請(qǐng)日期為2023年11月。

專利摘要顯示，一種高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法。涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟：步驟S100，在外延片上對(duì)無(wú)源區(qū)和n個(gè)有源區(qū)之間進(jìn)行離子注入，形成ISO隔離區(qū)；步驟S200，在外延片上去除G電極區(qū)域外部外延片上的PGaN層，并沉積第一隔離層；步驟S300，外延片上每個(gè)有源區(qū)內(nèi)，在D電極區(qū)域制備D電極槽，在S電極區(qū)域制備S電極槽；步驟S400，在D電極槽內(nèi)制備D電極，在S電極槽內(nèi)制備S電極，有源區(qū)外制備與D、S電極互聯(lián)的D、S電極pad金屬并沉積第二隔離層；本發(fā)明可以在不影響器件柵控能力、不引入額外寄生電感和寄生電阻的情況下，達(dá)到提升單個(gè)器件通流能力，提高器件大尺寸封裝功率密度的優(yōu)點(diǎn)。