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英偉達(dá)正規(guī)劃5nm架構(gòu)顯卡：流處理器數(shù)量猛增71%

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第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用大爆發(fā)！阿里達(dá)摩院發(fā)布2021十大科技趨勢

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2021年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額將增長8.4%，行業(yè)并購將繼續(xù)

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日本豐田汽車公司Kimimori HAMADA：超窄體（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結(jié)構(gòu)

沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學(xué)Iman S. ROQAN：原位無位錯多晶GaN層在寬范圍襯底上生長高效率的無催化劑GaN納米線

澳大利亞格里菲斯大學(xué)Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征

日本名古屋大學(xué)宇治原徹：CFD模擬預(yù)測系統(tǒng)在SiC生長中的應(yīng)用

IGBT龍頭斯達(dá)半導(dǎo)擬投資2.29億元布局碳化硅賽道

科技部部長王志剛：完善科技創(chuàng)新體制機(jī)制

中電科55所李士顏博士：碳化硅功率MOSFET研究進(jìn)展

深圳第三代半導(dǎo)體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計

華北電力大學(xué)李學(xué)寶：高壓SiC器件中的封裝絕緣問題研究

重慶大學(xué)曾正:碳化硅功率模塊的先進(jìn)封裝測試技術(shù)

浙江大學(xué)任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究

廈門大學(xué)邱宇峰教授：碳化硅功率半導(dǎo)體器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用

中山大學(xué)黎城朗：凹槽深度對GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學(xué)特性的影響研究

英諾賽科謝文元：八英寸硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

電子科技大學(xué)教授周琦：基于超薄勢壘AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)與混合陽極二極管技術(shù)的功率整流器與微波混頻器

中國空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠鄭巖：寬禁帶功率器件的宇航應(yīng)用技術(shù)

北京大學(xué)尹瑞苑：氮化鎵MIS結(jié)構(gòu)界面相關(guān)陷阱態(tài)：物性、表征及模型

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強(qiáng)型HEMT電力電子器件

南方科技大學(xué)于洪宇：Si基GaN功率器件及其上電源系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

Cree與Tek將于12月23日聯(lián)合直播，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件發(fā)展及在OBC應(yīng)用

中國電科十三所王元剛：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究

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