美国一级A片性欧美大片|高清三级电影无码|国产精品自慰喷水|黄片亚洲无码国产|老鸭窝在线免费AV|完全免费在线视频精品一区|日韩va亚洲va欧美va高清|日韩激情在线观看老A影视|免费黄色影片免费人人草|AV永久在线观看

<ruby id="mhjbc"><strong id="mhjbc"><acronym id="mhjbc"></acronym></strong></ruby>

<style id="mhjbc"><progress id="mhjbc"><track id="mhjbc"></track></progress></style>

<li id="mhjbc"><dl id="mhjbc"></dl></li>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

揚杰科技申請一種多導電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導電 MOSFET 導通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導體器件制備方法相關專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

浙江奧首材料科技申請一種用于半導體化合物光刻膠的剝離液專利，減少剝離液中的腐蝕

英諾賽科GaN：開啟高效、便攜的電子產(chǎn)品新時代

法國GaN企業(yè)獲應用材料、臺灣工研院投資

芯源微獲得發(fā)明專利授權：“晶圓搬運裝置及晶圓搬運方法”

億緯鋰能與中電建北京院達成戰(zhàn)略合作

13億元！創(chuàng)維集團被迫轉(zhuǎn)讓LG廣州工廠10%股權

國內(nèi)DPU芯片頭部企業(yè)中科馭數(shù)簽約落戶武漢光谷

至芯半導體重磅發(fā)布全新V1版UVC-LED芯片@BeyondUV?

天岳先進董事長：第三代半導體需求推動碳化硅材料快速發(fā)展

EPC Power 攜手 Wolfspeed，以碳化硅打造可靠的模塊化電網(wǎng)級儲能方案

新微半導體推出850nm 10G VCSEL工藝平臺，面向廣泛的數(shù)通應用

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國內(nèi)第一

芯導科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

眾多院士專家企業(yè)家齊聚南昌，2024南昌光電博覽會精彩日程出爐！

鎵仁半導體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

雙成藥業(yè)籌劃重大資產(chǎn)重組：擬注入芯片業(yè)務，提升公司經(jīng)營質(zhì)量

科友半導體認定黑龍江省第六批專精特新“小巨人”企業(yè)

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長期供貨協(xié)議

上海積塔半導體申請半導體結(jié)構(gòu)相關專利，避免因相鄰膜層刻蝕選擇比過大形成底切結(jié)構(gòu)

英諾激光：公司已實現(xiàn)批量供應碳化硅退火制程的激光器

Wolfspeed推出2300V碳化硅功率模塊，助力清潔能源產(chǎn)業(yè)提升

立昂晶電：實現(xiàn)磷化銦半導體材料技術突破獲評雛鷹企業(yè)

國博電子：上半年發(fā)布多款GaN射頻模塊產(chǎn)品，預計下半年開發(fā)并應用新一代的產(chǎn)品

Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊以提高清潔能源產(chǎn)能

華潤微推出寬SOA系列MOSFET產(chǎn)品

智芯微“光刻膠均勻覆蓋晶圓表面的仿真方法”專利公布

士蘭微“MEMS微鏡及其制備方法”專利獲授權

第43頁/共171頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<ruby id="dwod2"><strong id="dwod2"><address id="dwod2"></address></strong></ruby>