9月11日晚，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，公司今年8月在氧化鎵襯底加工技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，成功研制超薄6英寸襯底，襯底厚度小于200微米。 

鎵仁半導(dǎo)體指出，氧化鎵（β-Ga2O3）具有禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、Baliga品質(zhì)因數(shù)大等優(yōu)勢，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面具有巨大的應(yīng)用潛力，能夠極大地降低器件工作時(shí)的電能損耗，有望成為未來半導(dǎo)體電力電子領(lǐng)域的主力軍。但是，氧化鎵熱導(dǎo)率較低，會加重器件的自熱效應(yīng)，大量熱量積累在器件內(nèi)部，會導(dǎo)致器件性能退化，使其在高功率領(lǐng)域的應(yīng)用受到極大的限制。減薄襯底厚度，能夠使器件產(chǎn)生的熱量通過襯底散出，增強(qiáng)器件的散熱能力，提高器件性能。超薄6英寸襯底為高性能器件的制備提供了一種新選擇，滿足功率器件領(lǐng)域的科研與生產(chǎn)需求，促進(jìn)業(yè)內(nèi)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同合作。

融資方面，鎵仁半導(dǎo)體截至目前已獲2輪融資，其中最高金額近億人民幣。