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科瑞半導(dǎo)體 “搶跑”第三代半導(dǎo)體封測(cè)市場(chǎng)

星曜半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)線投產(chǎn)，總投資 7.5 億元

8個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目，總投資超100億元！溫州首家晶圓廠投產(chǎn)！

2024年中國(guó)半導(dǎo)體并購(gòu)31件模擬芯片和材料成熱點(diǎn)

一代鞋王跨界半導(dǎo)體，奧康國(guó)際籌劃增發(fā)收購(gòu)聯(lián)和存儲(chǔ)科技

現(xiàn)代汽車(chē)解散半導(dǎo)體戰(zhàn)略部門(mén)，原計(jì)劃自研5nm芯片

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請(qǐng) GaN 半橋電路等專(zhuān)利，提升電路性能

總投資7.5億元，星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項(xiàng)目投產(chǎn)

總投資10億元，民翔半導(dǎo)體存儲(chǔ)項(xiàng)目一期投產(chǎn)！

天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請(qǐng)

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目竣工投產(chǎn)

總投資12億！晶益通半導(dǎo)體項(xiàng)目封頂

3億元！又一半導(dǎo)體項(xiàng)目正式簽約！

廣東中圖半導(dǎo)體申請(qǐng)高一致性圖形化襯底制備方法專(zhuān)利，解決圖形化襯底均一性降低問(wèn)題

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專(zhuān)利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

Science：AI驅(qū)動(dòng)閉環(huán)設(shè)計(jì)，加速高性能有機(jī)半導(dǎo)體材料發(fā)現(xiàn)

總投資3億元！合肥新站高新區(qū)新增一半導(dǎo)體項(xiàng)目，明年開(kāi)工建設(shè)

韓國(guó)2025年將豪擲25.5萬(wàn)億韓元投資半導(dǎo)體、顯示器等先進(jìn)產(chǎn)業(yè)

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專(zhuān)利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

3.5億！一半導(dǎo)體項(xiàng)目在皖開(kāi)工

總投資1.2億湖州奕富半導(dǎo)體研磨裝備國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目簽約，

玻色量子、希姆半導(dǎo)體等簽約入駐電子城南京未來(lái)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地

歐盟批準(zhǔn)意大利13億歐元補(bǔ)貼助力Silicon Box建設(shè)先進(jìn)半導(dǎo)體封裝廠

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)檢測(cè)晶圓位置的專(zhuān)利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進(jìn)行

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請(qǐng)一種功率開(kāi)關(guān)器件專(zhuān)利，提高了器件的功率密度

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利，有效降低器件VFSD

華虹半導(dǎo)體申請(qǐng)集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專(zhuān)利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資5億！湖南一半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目，開(kāi)工

日本政府為電裝-富士電機(jī)聯(lián)合的SiC功率半導(dǎo)體計(jì)劃投資705億日元

華索科技半導(dǎo)體研磨裝備項(xiàng)目簽約南潯

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