國家知識產權局信息顯示，納維達斯半導體有限公司申請一項名為“GaN 半橋電路和 GaN 自舉電源電壓發(fā)生器電路”的專利，公開號 CN 119154647 A，申請日期為 2020 年 4 月。
專利摘要顯示，公開了 GaN 半橋電路和 GaN 自舉電源電壓發(fā)生器電路。該電路包括配置為供應第一電源電壓的自舉電源電壓發(fā)生器，并且包括開關節(jié)點。該電路還包括自舉晶體管、自舉晶體管驅動電路以及與開關節(jié)點和自舉晶體管連接的自舉電容器。自舉電容器被配置為在開關節(jié)點處的電壓等于第二開關節(jié)點電壓時供應第一電源電壓，自舉晶體管被配置為在開關節(jié)點處的電壓等于第開關節(jié)點電壓時將自舉電容器與處于第二電源電壓的電源節(jié)點電連接，并且自舉電源電壓發(fā)生器不包括與自舉晶體管的漏極和源極并聯的獨立二極管。
