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重磅發(fā)布 | 2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準正式發(fā)布

山東大學/晶鎵半導體成功研發(fā)4英寸高質量GaN單晶襯底

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質量

天岳先進SiC單晶項目即將投產(chǎn)

總投資11億元！磷化銦單晶襯底片項目簽約落戶江門

投資100億！高溫超導硅單晶設備及晶體生產(chǎn)項目開工！

西湖大學工學院孔瑋團隊提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質外延方法

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導體氧化鎵新時代

鎵仁半導體董事長張輝：大尺寸高質量氧化鎵單晶材料進展 | CASICON重慶站

征世科技成功研發(fā)30 mm×55 mm單晶金剛石散熱片

新突破|鎵仁半導體實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜

同光半導體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動

同光半導體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動

鎵仁半導體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

一批半導體項目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

鎵仁半導體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

河北同光半導體申請具有 p/n 結結構的碳化硅單晶柔性膜專利，實現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

中欣晶圓12英寸完美單晶下線

超芯星入駐江北新區(qū)集成電路基地，全面開啟8英寸碳化硅單晶襯底量產(chǎn)

杭州鎵仁半導體實現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長

廣州南砂晶圓半導體技術取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

1萬伏！我國實現(xiàn)6英寸AlN單晶復合襯底和晶圓制造全流程突破

上海漢虹申請一種單晶爐碳化硅爐專用KF40電動蝶閥專利

鎵仁半導體：鑄造法成功生長超厚6英寸氧化鎵單晶！

標準 | 碳化硅單晶生長用等靜壓石墨等2項技術標準形成委員會草案

鎵仁半導體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

杭州鎵仁半導體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

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