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總投資約5.46億元山西海納半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地項(xiàng)目投產(chǎn)

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線開(kāi)工

湖北溥源石英年產(chǎn)2萬(wàn)噸半導(dǎo)體單晶硅石英坩堝材料(一期)項(xiàng)目新進(jìn)展

上海微系統(tǒng)所成功開(kāi)發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)

中晶科技:已在國(guó)內(nèi)分立器件用單晶硅棒、研磨硅片以及半導(dǎo)體功率芯片及器件領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先的市場(chǎng)地位

寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破3.35英寸

中晶科技：單晶硅片募投項(xiàng)目處于增產(chǎn)上量和新客戶認(rèn)證過(guò)程中

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

海納半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地項(xiàng)目全面竣工！

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中晶芯源半導(dǎo)體楊祥龍：碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|西安交通大學(xué)王若錚：MPCVD法生長(zhǎng)英寸級(jí)單晶金剛石的相關(guān)機(jī)理探討

CASICON晶體大會(huì)前瞻|山東大學(xué)徐現(xiàn)剛：低缺陷碳化硅單晶進(jìn)展及展望

西安交大劉明教授團(tuán)隊(duì)在柔性自支撐反鐵電氧化物單晶薄膜研究方面取得新進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |北京大學(xué)教授沈波：AlN單晶襯底和外延薄膜的制備

科學(xué)家提出傾斜臺(tái)階面外延生長(zhǎng)菱方氮化硼單晶方法

厚度達(dá)100 mm! 碳化硅單晶生長(zhǎng)取得新進(jìn)展

6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

云和縣大尺寸碳化硅單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目意向合作協(xié)議簽約儀式舉行

CASA立項(xiàng)《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》標(biāo)準(zhǔn)

中晶科技：高端分立器件和超大規(guī)模集成電路用單晶硅片項(xiàng)目進(jìn)展順利，當(dāng)前處于爬坡上量階段

深圳第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線

實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅單晶、2024年度科研資金超百億元

又一8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目正式備案！

年產(chǎn)70萬(wàn)片6-8英寸碳化單晶襯底項(xiàng)目通過(guò)立項(xiàng)審批

天岳先進(jìn)：持續(xù)進(jìn)行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長(zhǎng)效率和質(zhì)量

碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

中科院物理所陳小龍團(tuán)隊(duì)：晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)取得突破

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