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報(bào)告嘉賓 | 美國(guó)國(guó)家工程院院士劉紀(jì)美:垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵功率器件:異質(zhì)與
同質(zhì)
襯底上的生長(zhǎng)
美國(guó)國(guó)家工程院院士
劉紀(jì)美
垂直結(jié)構(gòu)
氮化鎵
功率器件
異質(zhì)
同質(zhì)
襯底
評(píng)論 ?
2026-01-14 15:07
富加鎵業(yè)氧化鎵MOCVD
同質(zhì)
外延片性能再創(chuàng)新高
評(píng)論 ?
2025-06-09 08:11
西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼
同質(zhì)
結(jié)深紫外LED芯片
評(píng)論 ?
2025-03-19 12:03
西湖大學(xué)工學(xué)院孔瑋團(tuán)隊(duì)提出β-Ga?O? (100)面的單晶
同質(zhì)
外延方法
評(píng)論 ?
2025-03-11 14:46
國(guó)創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力,“超高性能
同質(zhì)
外延Micro-LED”取得新突破
評(píng)論 ?
2024-09-09 17:37
晶鉆科技
同質(zhì)
外延單晶金剛石新突破
評(píng)論 ?
2024-08-06 11:26
寧波晶鉆
同質(zhì)
外延單晶金剛石再次突破3.35英寸
評(píng)論 ?
2024-08-02 11:01
中科院物理所陳小龍團(tuán)隊(duì):晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)取得突破
中國(guó)科學(xué)院
物理研究所
陳小龍
異質(zhì)籽晶
同質(zhì)籽晶
生長(zhǎng)
評(píng)論 ?
2024-01-15 13:26
香港中文大學(xué)(深圳)冀東:GaN
同質(zhì)
外延中的雪崩特性
GaN同質(zhì)外延
雪崩擊穿
電離系數(shù)
功率器件
雪崩光電二極管
評(píng)論 ?
2024-01-10 11:53
IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層
同質(zhì)
外延生長(zhǎng)
評(píng)論 ?
2023-12-20 11:52
審核趨嚴(yán)賽道擁擠 “
同質(zhì)
化”半導(dǎo)體企業(yè)上市有難度
評(píng)論 ?
2023-09-27 09:02
中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng):面向氮化鎵
同質(zhì)
外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展
評(píng)論 ?
2023-08-02 10:10
馮志紅團(tuán)隊(duì)在(001)單晶金剛石上制備了具有
同質(zhì)
外延層的金剛石FET
評(píng)論 ?
2022-10-19 15:15
北京大學(xué)物理學(xué)院教授于彤軍:大尺寸AlN單晶的
同質(zhì)
PVT生長(zhǎng)研究
評(píng)論 ?
2021-12-23 16:46
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