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碳基材料將納入十四五產(chǎn)業(yè)規(guī)劃第三代半導體持續(xù)升溫

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Nat. Commun.刊發(fā)武漢光電中心唐江教授團隊基于熱蒸發(fā)的大面積鈣鈦礦綠光發(fā)光二極管

Si基GaN 射頻器件研究進展

美參議院通過萬億美元基建法案：750億美元流向三大科技領(lǐng)域

總投資300億元，金普新區(qū)與正威集團合作將建以氮化鎵半導體為核心的第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地等

《Nature Electronics》：港科大氮化鎵基互補邏輯集成電路研究取得重大成果

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