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中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）項目最新進(jìn)展

圍場縣公安局350兆基站及5G融合終端采購（二次）公開招標(biāo)公告

中科光芯高速率光芯片及光通信核心器件生產(chǎn)基地項目正式啟動

滬硅產(chǎn)業(yè)擬91億元投建半導(dǎo)體硅片材料生產(chǎn)基地

富樂德30億元傳感器項目奠基

先普氣體純化設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)項目奠基

天岳先進(jìn)：已形成山東濟南、上海臨港、山東濟寧碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地

4H-SiC 中基面位錯滑移帶表征和外延傳播

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所伍紹騰：基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

中國中車聯(lián)手設(shè)立30億元產(chǎn)業(yè)投資基金，聚焦半導(dǎo)體等領(lǐng)域

6億元國產(chǎn)半導(dǎo)體制程附屬設(shè)備及關(guān)鍵零部件生產(chǎn)基地嘉定開工

大基金二期等入股潤鵬半導(dǎo)體潤鵬半導(dǎo)體增資至150億

重大突破！第三代半導(dǎo)體在寧加速布局

彌費科技臨港生產(chǎn)基地暨全球研發(fā)中心啟用

南京大學(xué)莊喆：基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

廈門大學(xué)張峰：新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

上海新一代化合物半導(dǎo)體研制基地項目全面封頂

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金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

首臺基于國產(chǎn)ＳiC-MOSFET的低壓配電網(wǎng)柔性調(diào)控裝置投運

國調(diào)基金戰(zhàn)略投資潤鵬半導(dǎo)體

總規(guī)模20億元！西安市工業(yè)倍增引導(dǎo)基金參股的首支子基金正式落地

廣東半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期成立出資額110億元

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錨定目標(biāo)，湖北省要建全國重要化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地

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IFWS 2023│加拿大Crosslight首席研發(fā)專家Ahmed NASHED：基于半導(dǎo)體激光器件的高級光學(xué)建模與仿真

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