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中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

晶盛機(jī)電：公司成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)教授寧?kù)o：寬禁帶氮化物外延材料及集成器件

瀚天天成宣布開(kāi)始量產(chǎn) 8 英寸SiC外延晶片，已簽訂1.92億美元長(zhǎng)單

中國(guó)電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備

北大許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)在氮化物半導(dǎo)體大失配外延研究上取得突破性進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究取得進(jìn)展

半導(dǎo)體所在硅基外延量子點(diǎn)激光器研究方面取得重要進(jìn)展

北京大學(xué)許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了接近體塊級(jí)質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

盛鑫半導(dǎo)體：大尺寸硅外延材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)首批設(shè)備入場(chǎng)

晶盛機(jī)電：碳化硅外延設(shè)備出貨量位居國(guó)內(nèi)前列

簡(jiǎn)述GaN 外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

中微公司副總經(jīng)理杜志游：深耕外延并舉打造業(yè)內(nèi)國(guó)際一流

Transphorm與美國(guó)國(guó)家安全技術(shù)加速機(jī)構(gòu)簽訂協(xié)議用于開(kāi)發(fā)GaN外延片

晶盛機(jī)電：碳化硅外延設(shè)備出貨量已做到國(guó)內(nèi)前列

廈門(mén)大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

【CASICON 2023】中國(guó)電科第十三研究所蘆偉立：電力電子領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體外延技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2023】爍科晶磊半導(dǎo)體陳峰武：分子束外延設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展及展望

【CASICON 2023】海乾半導(dǎo)體董事長(zhǎng)孔令沂：碳化硅外延核心技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用

半導(dǎo)體所在氮化物材料外延研究中取得新進(jìn)展

合盛硅業(yè)：目前2萬(wàn)片寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項(xiàng)目已通過(guò)驗(yàn)收，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

國(guó)內(nèi)首家！廈門(mén)大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

IFWS：碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工及外延技術(shù)前沿研究

現(xiàn)場(chǎng)火爆！IFWS：氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)論壇召開(kāi)

簡(jiǎn)述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

Arche開(kāi)啟韓國(guó)首個(gè)碳化硅外延片量產(chǎn)

開(kāi)年重要碳化硅半導(dǎo)體論壇！直擊碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工及外延技術(shù)前沿進(jìn)展

國(guó)產(chǎn)碳化硅外延片供應(yīng)商天域股份開(kāi)啟上市輔導(dǎo)

晶睿電子2023年將開(kāi)展碳化硅外延片業(yè)務(wù)

立昂微擬11.3億元增資金瑞泓，加碼“年產(chǎn)180萬(wàn)片12英寸半導(dǎo)體硅外延片項(xiàng)目”

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