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晶盛機電:公司成功研發(fā)出具有國際先進水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備

日期:2023-07-14 閱讀:687
核心提示:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:晶盛機電近期在機構(gòu)調(diào)研中指出,公司成功研發(fā)出具有國際先進水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備,引領(lǐng)國

半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:晶盛機電近期在機構(gòu)調(diào)研中指出,公司成功研發(fā)出具有國際先進水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備,引領(lǐng)國內(nèi)碳化硅行業(yè)技術(shù)升級。

晶盛機電表示,目前公司在 8 英寸襯底基礎(chǔ)上,已實現(xiàn) 8 英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備的自主研發(fā)與調(diào)試,外延的厚度均勻性 1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性 4%以內(nèi),已達到行業(yè)領(lǐng)先水平,這是公司在第三代半導體設(shè)備領(lǐng)域的又一次重要技術(shù)突破。

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