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廈門大學(xué)團(tuán)隊(duì)演示可同步輻射正交線偏振綠光的半極性InGaN基MCLED

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北京大學(xué)申請(qǐng)高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性

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華南師范大學(xué)王幸福：GaN微納結(jié)構(gòu)及其光電子器件研究

江南大學(xué)獲批首個(gè)芯片關(guān)鍵技術(shù)千萬級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目

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北京大學(xué)集成電路學(xué)院招聘專技2人，2.10截止

新進(jìn)展！西安交通大學(xué)實(shí)現(xiàn)2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底量產(chǎn)

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廈門大學(xué)林楷強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)在二維半導(dǎo)體材料的激子研究方面取得新進(jìn)展

南京航空航天大學(xué)集成電路學(xué)院正式揭牌獨(dú)立運(yùn)行

中山大學(xué)物理學(xué)院氫化物氣相外延沉積系統(tǒng)采購(gòu)項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

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南京大學(xué)莊喆：基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

廈門大學(xué)張峰：新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直GaN功率器件

西安電子科技大學(xué)游淑珍：面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)

山東大學(xué)徐明升：SiC的高溫氧化研究

大阪公立大學(xué)梁劍波：增強(qiáng) GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用

多倫多大學(xué)吳偉東：用于電動(dòng)汽車的液冷GaN和SiC功率模塊

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

IFWS 2023│西安交通大學(xué)王來利：碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)

北京大學(xué)申請(qǐng)GaN與碳納米管CMOS電路專利

IFWS 2023│南砂晶圓/山東大學(xué)楊祥龍：大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展

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