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世界紀(jì)錄效率！南京大學(xué)現(xiàn)工院譚海仁團(tuán)隊(duì)在《Nature》發(fā)文報(bào)道全鈣鈦礦疊層電池重要研究進(jìn)展

聞泰科技與清華大學(xué)成立工業(yè)與車(chē)規(guī)半導(dǎo)體芯片聯(lián)合研究中心

南京大學(xué)鄭有炓教育基金獲捐設(shè)立

上海市與清華大學(xué)共建創(chuàng)新中心，啟動(dòng)集成電路芯片攻關(guān)和AI社會(huì)實(shí)驗(yàn)

復(fù)旦大學(xué)袁澤興：基于玻璃封裝高穩(wěn)定鈣鈦礦納米晶色轉(zhuǎn)換材料的高速水下無(wú)線光通信

華南理工大學(xué)李國(guó)強(qiáng)教授：可見(jiàn)光通信系統(tǒng)中核心元器件研究

丹麥技術(shù)大學(xué)副教授歐海燕：碳化硅，一種新型的集成光子和量子集成光子平臺(tái)

重慶郵電大學(xué)成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體功率芯片

北京大學(xué)物理學(xué)院教授于彤軍：大尺寸AlN單晶的同質(zhì)PVT生長(zhǎng)研究

深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長(zhǎng)武紅磊：氮化鋁晶體PVT生長(zhǎng)裝置及技術(shù)研究

廈門(mén)大學(xué)校長(zhǎng)張榮教授：寬禁帶半導(dǎo)體全面支撐光電子技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展

西安電子科技大學(xué)劉志宏：面向移動(dòng)SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件研究進(jìn)展

日本德島大學(xué)教授敖金平：轉(zhuǎn)換效率超過(guò)91%的基于GaN肖特基勢(shì)壘二極管的微波整流器

中國(guó)科技大學(xué)Alsaman A. amgad：HEMT器件通道內(nèi)2DEG電荷的空間非均勻性

北京大學(xué)物理學(xué)院楊學(xué)林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東：GaN功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅(qū)動(dòng)器

西交利物浦大學(xué)王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-HEMT

西安電子科技大學(xué)王婷婷：基于金屬氮化物陽(yáng)極的凹槽雙陽(yáng)極SBD研究

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院汪青：GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展

深圳大學(xué)微電子研究院劉新科：2寸獨(dú)立晶圓上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基勢(shì)壘二極管

電子科技大學(xué)李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測(cè)試方法與機(jī)理研究

北京大學(xué)許福軍：高質(zhì)量AlN實(shí)現(xiàn)路徑探索及深紫外發(fā)光器件應(yīng)用

北京大學(xué)王柳冰：通過(guò)引入透明復(fù)合p型層和Ag納米點(diǎn)/Al反射電極相結(jié)合提高深紫外LED的光提取效率

西安電子科技大學(xué)寧?kù)o：基于維度調(diào)控的GaN紫外LED及光電集成

廈門(mén)大學(xué)黃凱：紫外光電器件中的極化激元和等離激元研究

中山大學(xué)江灝：利用界面效應(yīng)的高Al組分AlGaN的高效p型摻雜及其深紫外光電探測(cè)應(yīng)用

西安電子科技大學(xué)袁海東：β-Ga2O3/2D異質(zhì)結(jié)界面性能調(diào)控及其潛在應(yīng)用

山東大學(xué)徐明升：基于金剛石金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的日盲探測(cè)器

西安交通大學(xué)王艷豐：大面積單晶金剛石及場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究

鄭州大學(xué)劉玉懷：六方氮化硼薄膜在不同襯底上的生長(zhǎng)研究綜述

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