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西安交通大學(xué)李強(qiáng)：hBN薄膜的制備與應(yīng)用

南京大學(xué)況悅：κ-Ga2O3/In2O3 同型異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶排列和界面彎曲

鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass：藍(lán)寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究

美國(guó)康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING：對(duì)抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分?jǐn)?shù)對(duì)InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響

哈爾濱工業(yè)大學(xué)趙麗麗：低成本碳化硅單晶材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究

復(fù)旦大學(xué)張園覽：基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管的研究

復(fù)旦大學(xué)特聘教授張清純：SiC器件和模塊的最新進(jìn)展

美國(guó)電力首席執(zhí)行官Victor VELIADIS教授：碳化硅大規(guī)模商業(yè)化：現(xiàn)狀與障礙

西安電子科技大學(xué)張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

大連理工大學(xué)王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術(shù)

美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)Anant AGARWAL 教授：碳化硅芯片會(huì)在 2025-2030 年被電動(dòng)汽車廣泛采用的可能性探討

祝賀！清華大學(xué)電子工程系羅毅教授當(dāng)選為中國(guó)工程院院士

華中科技大學(xué)捧回5項(xiàng)國(guó)家獎(jiǎng) 高密度高可靠電子封裝技術(shù)項(xiàng)目獲一等獎(jiǎng)

中科大在日盲紫外探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

鄭州大學(xué)物理學(xué)院在氧化鎵基日盲光電探測(cè)方面取得進(jìn)展

南方科技大學(xué)葉懷宇:碳化硅快充/逆變器的先進(jìn)微納金屬燒結(jié)封裝技術(shù)

深圳大學(xué)劉新科：基于氮化鎵單晶襯底的半導(dǎo)體器件

南方科技大學(xué)孫小衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)通過噴墨打印制備出業(yè)界壽命最長(zhǎng)的量子點(diǎn)發(fā)光二極管

山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授將出席第四屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議并分享重要報(bào)告

東北師范大學(xué)劉益春校長(zhǎng)將出席第四屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議并分享重要報(bào)告

北京大學(xué)沈波教授將出席第四屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議并分享重要報(bào)告

中國(guó)科大在半導(dǎo)體p-n異質(zhì)結(jié)中實(shí)現(xiàn)光電流極性反轉(zhuǎn)

【CASICON 2021】復(fù)旦大學(xué)樊嘉杰：SiC功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計(jì)

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域取得關(guān)鍵突破！

【CASICON 2021】西安交通大學(xué)李強(qiáng)：大面積hBN薄膜制備及電阻開關(guān)特性研究

【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)

【CASICON 2021】廈門大學(xué)梅洋：氮化鎵基VCSEL技術(shù)進(jìn)展

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在過壓開關(guān)中的魯棒性

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