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AlGaN深紫外發(fā)光二極管光子輸運行為研究和高效率器件研制
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研究成果
廣東工業(yè)大學(xué)
河北工業(yè)大學(xué)
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
評論 ?
2025-12-04 16:29
2025云南晶體大會前瞻|
廣東工業(yè)大學(xué)
張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究
評論 ?
2025-09-10 16:01
CSPSD 2025前瞻|
廣東工業(yè)大學(xué)
周賢達：功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)
評論 ?
2025-05-06 18:33
CASICON晶體大會前瞻 |
廣東工業(yè)大學(xué)
張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對 GaN功率電子器件的影響研究
評論 ?
2024-05-29 11:12
CSPSD 2024成都前瞻|
廣東工業(yè)大學(xué)
張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究
評論 ?
2024-04-18 13:41
CSPSD 2024成都前瞻|
廣東工業(yè)大學(xué)
周賢達：非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實現(xiàn)
評論 ?
2024-04-15 16:58
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