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艾為電子：星閃技術(shù)是新一代近距離無線連接技術(shù)

工藝打通！九峰山實(shí)驗(yàn)室全面啟動碳化硅（SiC）工藝技術(shù)服務(wù)

強(qiáng)芯沙龍 | 直播預(yù)告！碳化硅襯底材料與關(guān)鍵技術(shù)如何破局？

集成芯片前沿技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)重大研究計(jì)劃2023年度項(xiàng)目指南通告發(fā)布

天津大學(xué)在硅基頻率源技術(shù)方面取得系列成果

長電科技：具備4nm、Chiplet先進(jìn)封裝技術(shù)規(guī)模量產(chǎn)能力

北理工團(tuán)隊(duì)在平面光伏型紅外光電探測方面取得突破性進(jìn)展

天岳先進(jìn)：碳化硅技術(shù)在800V平臺上將成為行業(yè)首選方案

化合積電黃開斌：金剛石基光電探測及激光器技術(shù)進(jìn)展

西安交通大學(xué)田振寰：基于Micro-LED的未來照明、顯示與通信技術(shù)

香港科技大學(xué)成元捷：以激光圖形化技術(shù)實(shí)現(xiàn)全彩微型 LED 顯示器量子點(diǎn)顏色轉(zhuǎn)換層

香港科技大學(xué)（廣州）王蘊(yùn)達(dá)：面向光電子異質(zhì)集成的微轉(zhuǎn)印技術(shù)

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展

中電科第五十五研究所黃潤華：SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展

中國電科46所霍曉青：面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)

萊特葳芯半導(dǎo)體劉天奇：智能化高頻高壓氮化鎵驅(qū)動技術(shù)研究進(jìn)展

西安華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC 單晶技術(shù)

中國科學(xué)院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

天通股份：公司已掌握800公斤級C向藍(lán)寶石晶體的生長技術(shù)

晶盛機(jī)電：已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底工藝和技術(shù)

湖南省半導(dǎo)體領(lǐng)域“十大技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目”順利驗(yàn)收

湖南省半導(dǎo)體領(lǐng)域“十大技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目”順利驗(yàn)收半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代

【CASICON 2023 西安站】廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院（微電子學(xué)院）副院長張保平：寬禁帶光電子半導(dǎo)體發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢

【CASICON 2023 西安站】西安電子科技大學(xué)副校長張進(jìn)成：寬禁帶半導(dǎo)體射頻和功率器件技術(shù)新進(jìn)展

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司邀您參加“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”

CASICON西安前瞻| 陜西師范大學(xué)李曉輝：低維材料的非線性光學(xué)特性及超快光纖激光技術(shù)研究

2023 Mini/Micro- LED封測與顯示技術(shù)大會將于8月23日在深圳召開

2023 先進(jìn)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇上海舉行

教育部：針對集成電路等核心技術(shù)“卡脖子”問題，集中力量開展科研攻關(guān)

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