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半導(dǎo)體所在硅基外延量子點激光器研究方面取得重要進展

北京大學(xué)許福軍、沈波團隊實現(xiàn)了接近體塊級質(zhì)量的III族氮化物異質(zhì)外延膜

中電科汽車芯片中心與西部智聯(lián)聯(lián)手瞄準車用芯片核心技術(shù)

廣東省質(zhì)量強省建設(shè)綱要：加快發(fā)展集成電路等產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)

Chiplet成半導(dǎo)體性能提升重要路徑

中科院宣布，光計算芯片領(lǐng)域新突破！

共創(chuàng)未來，引領(lǐng)IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用

UV LED技術(shù)、產(chǎn)品、市場新動態(tài)

【國際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

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世界最好水平！奧趨光電推出新一代超高透過率AlN單晶襯底

工信部：深化與跨國企業(yè)在車用芯片等領(lǐng)域的投資技術(shù)合作

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簡述GaN 外延生長方法及生長模式

國際團隊開發(fā)出一種“3D光量子存儲器”原創(chuàng)技術(shù)

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基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管

2023 先進IGBT及第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)與應(yīng)用論壇將于7月在上海舉辦

工信部明確全面推進6G技術(shù)研發(fā)

上海光機所在特殊波長的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進展

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臺積2納米試產(chǎn) 有動作了

科技部：高度重視第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2023一帶一路暨金磚大賽先進半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用賽項報名啦

蘇州發(fā)布政策支持國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）等發(fā)展

上海市科學(xué)技術(shù)獎揭曉復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院團隊獲一等獎

美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授Victor Veliadis：碳化硅功率半導(dǎo)體器件技術(shù)

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報告》

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