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東南大學牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術報告征求意見

一文了解金剛石半導體

南京大學科研團隊在下一代光電芯片制造領域獲重大突破！

工信部：加快車規(guī)級芯片等關鍵技術攻關和產(chǎn)業(yè)化

天岳先進：已自主研發(fā)出2-6英寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備技術

技術分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強型氮化鎵HEMTs

簡述晶圓級多層堆疊封裝技術

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設備

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯

南京大學余林蔚教授課題組實現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細晶硅納米線可靠生長集成

面向可重構(gòu)整流電路的互補型柵控PN結(jié)電路研究

簡述晶圓級多層堆疊技術

高導熱金剛石/銅復合材料的制備與界面調(diào)控研究進展

金剛石在GaN功率放大器熱設計中的應用

一文讀懂氧化鎵半導體

WOLFSPEED：?使用碳化硅進行雙向車載充電機設計

湖南三安發(fā)布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ

一種基于基板埋入技術的新型SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設計方法

哈爾濱工業(yè)大學科研團隊通過選擇性生長方法制備了準垂直金剛石肖特基二極管

自研基于 6 寸碳化硅晶圓的 6.5kV MOSFET功率模塊測試分析

打破電動汽車“里程焦慮”，主驅(qū)能效如何升級？

二維金剛石的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)若干進展

中科院合肥研究院安光所團隊在高分辨率激光外差光譜技術研究方面取得新進展

高導熱金剛石材料的制備及器件應用進展

2022化合物半導體器件與封裝技術論壇將延期召開

郝躍院士團隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應

一種基于基板埋入技術的SiC功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設計

新型二維原子晶體材料Si?C??的構(gòu)筑

我國科學家成功制備白光鈣鈦礦發(fā)光二極管

外媒：日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

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