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應(yīng)用
SSLCHINA 2022前瞻:Mini/Micro LED及其他新型顯示
技術(shù)
評論 ?
2022-10-14 14:27
高壓碳化硅器件封裝國內(nèi)外研究進(jìn)展
評論 ?
2022-10-13 14:32
西安交通大學(xué)研究團(tuán)隊超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
評論 ?
2022-10-13 11:41
國家第三代半導(dǎo)體
技術(shù)
創(chuàng)新中心(山西)邁入實際運行階段
評論 ?
2022-10-13 11:19
Wolfspeed聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席
技術(shù)
官John Palmour博士正式成為美國國家工程院院士
評論 ?
2022-10-13 11:16
中山大學(xué)研究團(tuán)隊首次實現(xiàn)了基于ε-Ga2O3薄膜的SAW射頻諧振器
評論 ?
2022-10-12 18:05
SiC MOSFET特性分析及應(yīng)用
評論 ?
2022-10-12 17:55
電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用
評論 ?
2022-10-12 16:39
瀚天天成電子科技(廈門)有限公司招聘
評論 ?
2022-10-12 15:51
國際首臺基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗
評論 ?
2022-10-11 17:39
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
技術(shù)
創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟吳玲理事長一行調(diào)研創(chuàng)盈光療
評論 ?
2022-10-11 10:18
基于原子層沉積
技術(shù)
的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜
評論 ?
2022-10-10 17:57
簡述使用不同類型GaN FET 設(shè)計提高系統(tǒng)設(shè)計功率密度
評論 ?
2022-10-10 17:51
碳化硅單晶襯底加工
技術(shù)
現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述
評論 ?
2022-10-10 15:59
金剛石在器件散熱應(yīng)用中的研究動態(tài)幾則
評論 ?
2022-10-10 15:52
IFWS 2022前瞻:氮化鎵功率電子材料與器件
技術(shù)
新進(jìn)展
評論 ?
2022-10-10 15:25
中國科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進(jìn)展
評論 ?
2022-10-09 11:50
保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞
評論 ?
2022-10-09 11:44
深圳智芯微牽頭T/CASAS 022《三相智能電表用氮化鎵場效應(yīng)晶體管通用
技術(shù)
規(guī)范》征求意見
評論 ?
2022-10-08 15:13
東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》
技術(shù)
報告征求意見
評論 ?
2022-10-08 15:10
臺積電積極布局第三代半導(dǎo)體,二代硅基GaN
技術(shù)
平臺年內(nèi)完成
評論 ?
2022-10-08 08:44
山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體
評論 ?
2022-09-28 15:53
關(guān)于第十三屆中國國際納米
技術(shù)
產(chǎn)業(yè)博覽會 延期舉辦的通知
評論 ?
2022-09-28 09:38
國家第三代半導(dǎo)體
技術(shù)
創(chuàng)新中心正式邁入實際運行階段
評論 ?
2022-09-27 08:47
自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
評論 ?
2022-09-26 17:25
合肥工業(yè)大學(xué)在可重定義微波無源器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展
評論 ?
2022-09-22 17:12
韓科研團(tuán)隊研發(fā)新一代半導(dǎo)體氣敏傳感器
評論 ?
2022-09-22 10:40
深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT
評論 ?
2022-09-22 08:56
山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊實現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備
山東大學(xué)
晶體材料
4HSiC
襯底
8英寸
評論 ?
2022-09-21 08:45
解析電子封裝陶瓷基板
評論 ?
2022-09-20 17:10
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