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北京市長陳吉寧：推動集成電路、人工智能等領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)實現(xiàn)新突破

《“十四五”國家信息化規(guī)劃》發(fā)布，加快集成電路關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)

DB HiTek 將采用硅基氮化鎵技術(shù)改進 8 英寸半導(dǎo)體工藝

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地開工

首場元宇宙體系架構(gòu)、關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展與布局培訓(xùn)班即將開班

剝離轉(zhuǎn)移良率接近100%，上海芯元基突破Micro LED芯片量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

江蘇第三代半導(dǎo)體研究院：推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升

復(fù)旦大學(xué)袁澤興：基于玻璃封裝高穩(wěn)定鈣鈦礦納米晶色轉(zhuǎn)換材料的高速水下無線光通信

華南理工大學(xué)李國強教授：可見光通信系統(tǒng)中核心元器件研究

丹麥技術(shù)大學(xué)副教授歐海燕：碳化硅，一種新型的集成光子和量子集成光子平臺

光通信技術(shù)未來更加凸顯其重要性，聽專家學(xué)者們怎么說？！

中科院半導(dǎo)體所熒光型LED的OOK調(diào)制速率突破1Gbps

重慶郵電大學(xué)成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體功率芯片

浙大發(fā)布兩款超導(dǎo)量子芯片關(guān)鍵指標(biāo)實現(xiàn)新突破

深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副院長武紅磊：氮化鋁晶體PVT生長裝置及技術(shù)研究

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所沈旭強：無氨高溫 MOCVD 生長的高質(zhì)量極性和半極性氮化鋁

中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所陳荔：基于藍寶石襯底的半極性面AlN外延及高溫?zé)崽幚硌芯?/a>

最新關(guān)注氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)進展

西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪娦虯lGaN/GaN HEMTs

廈門大學(xué)校長張榮教授：寬禁帶半導(dǎo)體全面支撐光電子技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展

上海瞻芯電子楊義：SiC MOSFET多管并聯(lián)均流驅(qū)動技術(shù)探討

浙江老鷹半導(dǎo)體莫慶偉：VCSEL技術(shù)發(fā)展及其在智能感測與汽車?yán)走_中的應(yīng)用

廣東晶科電子何貴平：車規(guī)LED技術(shù)進階及新產(chǎn)品形態(tài)

中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究

韓國Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進器實現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

美國Analog設(shè)備張薇葭：基于直接鍵合工藝液冷散熱技術(shù)的緊湊型氮化鎵功率模塊設(shè)計及其熱學(xué)模型研究

元宇宙時代，Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用發(fā)展趨勢

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艾歐史密斯（中國）陳小波：紫外殺菌技術(shù)在凈水器中的應(yīng)用研究

應(yīng)用潛力不斷釋放固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)最新進展

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