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晶盛機(jī)電已成功生長出8英寸碳化硅晶體

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山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

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新型二維原子晶體材料Si?C??的構(gòu)筑

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6英寸高品質(zhì)GaN晶體最新進(jìn)展

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科友半導(dǎo)體應(yīng)用電阻長晶爐突破高速率高品質(zhì)SiC晶體生長的關(guān)鍵技術(shù)

業(yè)內(nèi)領(lǐng)先！科友半導(dǎo)體6英寸SiC晶體厚度突破32mm

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重磅！3.5億個晶體管，國內(nèi)集成電路領(lǐng)域再突破

二維半導(dǎo)體環(huán)柵晶體管和垂直互補(bǔ)晶體管的陣列驗證

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重磅發(fā)布 | 新一代SiC晶體生長爐，突破行業(yè)核心需求

應(yīng)用材料推出CVD升級技術(shù) 以支持GAA晶體管結(jié)構(gòu)

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碳化硅技術(shù)再突破爍科晶體、晶盛機(jī)電、露笑科技迎新進(jìn)展

?電科材料成功研制出8英寸碳化硅晶體實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)！

吳越半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略融資，曾發(fā)布厚度突破1厘米的GaN晶體

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