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標(biāo)準(zhǔn) |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) | ALN位錯密度/吸收系數(shù) 2項測試方法發(fā)布

順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項目（二期）預(yù)計7月底完工

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

意見征集 | 中科院長光所牽頭的3項面向光治療的柔性LED光源標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

工信部：加快自動駕駛系統(tǒng)安全要求強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)研制

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標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

重磅發(fā)布 | 2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗方法立項

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法立項

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET模塊局部放電試驗方法立項

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法》標(biāo)準(zhǔn)解讀

電科芯片牽頭制定的集成電路領(lǐng)域國家標(biāo)準(zhǔn)正式實施

2025JFSC平行論壇11丨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品評測與標(biāo)準(zhǔn)研制，精彩議題搶先看

工業(yè)和信息化部：今年將制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1800項以上

工信部：推進(jìn)5G-A、6G、量子保密通信等標(biāo)準(zhǔn)研究

標(biāo)準(zhǔn) | AlN位錯密度/吸收系數(shù)2項測試方法形成委員會草案

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》形成委員會草案

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”征求意見

納微為AI數(shù)據(jù)中心電源打造效率新標(biāo)桿超越80 PLUS紅寶石標(biāo)準(zhǔn)

助力科技中國戰(zhàn)略！蓋澤參編的《埋層硅外延片》GB國家標(biāo)準(zhǔn)正式實施

CASA與CSA共同立項《面向光治療的柔性LED光源拉伸彎曲可靠性試驗方法》等2項標(biāo)準(zhǔn)

全國人大代表馮興亞：推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展逐步統(tǒng)一換電標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

長飛先進(jìn)順利通過汽車電子行業(yè)兩大核心標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證

中車電驅(qū)獲ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)、ASIL D雙重認(rèn)證

《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試白光干涉法》CSA團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)第一次討論會召開

順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項目（二期）主體結(jié)構(gòu)順利封頂

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