2025年5月20日，由奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司牽頭制定的T/CASAS 053—2025《氮化鋁拋光片位錯(cuò)密度的測(cè)試 腐蝕坑法》以及由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所牽頭制定的T/CASAS 054—2025《氮化鋁拋光片吸收系數(shù)測(cè)試方法》，遵循CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定流程，經(jīng)過(guò)標(biāo)準(zhǔn)起草小組會(huì)議討論、廣泛征求意見(jiàn)、委員會(huì)草案投票等流程，上述兩項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)正式面向產(chǎn)業(yè)發(fā)布。
T/CASAS 053—2025《氮化鋁拋光片位錯(cuò)密度的測(cè)試 腐蝕坑法》描述了用擇優(yōu)化腐蝕技術(shù)測(cè)試氮化鋁拋光片中位錯(cuò)密度的方法。適用于拋光加工后位錯(cuò)密度小于107 個(gè)/cm2的氮化鋁拋光片位錯(cuò)密度的測(cè)試，適用于1 inch、2 inch、3 inch、4 inch直徑氮化鋁拋光片的測(cè)試。氮化鋁外延片可參照使用。
【本文件主要起草單位】
奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司、北京中材人工晶體研究院有限公司、北京大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、深圳大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、山東大學(xué)、中國(guó)人民解放軍國(guó)防科技大學(xué)、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、至芯半導(dǎo)體（杭州）有限公司、蘇州紫燦科技有限公司、北京大學(xué)東莞光電研究院、山東力冠微電子裝備有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。
【本文件主要起草人】
王琦琨、吳亮、周振翔、于彤軍、程紅娟、武紅磊、劉志彬、張雷、王廣、張童、倪逸舟、岳金順、王新強(qiáng)、宋德鵬、高偉。
T/CASAS 054—2025《氮化鋁拋光片吸收系數(shù)測(cè)試方法》描述了氮化鋁（AlN）拋光片光吸收系數(shù)的測(cè)試方法，包括原理、儀器設(shè)備、測(cè)試條件、樣品、測(cè)試步驟、結(jié)果計(jì)算和測(cè)試報(bào)告。適用于氮化鋁拋光片的光學(xué)質(zhì)量控制和評(píng)估。氮化鋁外延片可參照使用。
【本文件主要起草單位】
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、奧趨光電技術(shù)(杭州)有限公司、北京大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、山東大學(xué)、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、山西中科潞安半導(dǎo)體技術(shù)研究院有限公司、北京大學(xué)東莞光電研究院、山東力冠微電子裝備有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。
【本文件主要起草人】
劉志彬、吳亮、于彤軍、程紅娟、張雷、徐廣源、張童、王新強(qiáng)、宋德鵬、高偉。
（來(lái)源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）
