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國家標(biāo)準(zhǔn)委發(fā)文規(guī)范推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)起草單位和起草人署名

我國牽頭修訂的兩項(xiàng)功率半導(dǎo)體器件國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) | 11項(xiàng)GaN/SiC功率器件標(biāo)準(zhǔn)修訂形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn) | 《基于感性負(fù)載的SiC功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法》發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) |《SiC MOSFET高濃度硫化氫試驗(yàn)方法》立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) |《氫燃料電池車用碳化硅DC/DC變換器測(cè)試方法》立項(xiàng)

IFWS & SSLCHINA 2025 第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)成功召開

《科技成果轉(zhuǎn)化為標(biāo)準(zhǔn)指南》國家標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

IFWS2025：第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)最新報(bào)告出爐！

“第三代半導(dǎo)體技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)培訓(xùn)”在鹽城成功舉辦

標(biāo)準(zhǔn) | 《半導(dǎo)體晶片激光刻字深度的測(cè)定白光干涉法》立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) |《碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨》立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | 《氮化鎵高電子遷移率晶體管閾值電壓測(cè)試　脈沖電壓法》立項(xiàng)

CASA聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)獲評(píng)2025年北京市高質(zhì)量團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

關(guān)于征集全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)寬禁帶集成電路工作組成員的通知

標(biāo)準(zhǔn) | 長春光機(jī)所牽頭的3項(xiàng)光治療用柔性LED光源測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) | 《高頻開關(guān)應(yīng)用下GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)方法》發(fā)布

第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）成功通過竣工驗(yàn)收

我國牽頭制定的首個(gè)納米金剛石國際標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法”形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn) | 長春光機(jī)所牽頭起草的3項(xiàng)面向光治療的柔性LED光源測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

填補(bǔ)新技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)空白 12項(xiàng)新能源汽車團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)解讀

兩項(xiàng)碳化硅標(biāo)準(zhǔn)，立項(xiàng)！

標(biāo)準(zhǔn) | 《半橋拓?fù)渲蠸iC MOSFET開關(guān)損耗準(zhǔn)確評(píng)估測(cè)試方法》立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試方法》立項(xiàng)

CSA半導(dǎo)體激光器專委會(huì)啟動(dòng)半導(dǎo)體激光器團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)制定與GaN激光器產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書編制工作

標(biāo)準(zhǔn) |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測(cè)試方法》發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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