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中鎵半導(dǎo)體劉強：2英寸低位錯密度高電導(dǎo)率和半絕緣氮化鎵自支撐襯底的生長

基于氮化鎵業(yè)務(wù)發(fā)展的考慮賽微電子(300456.SZ)擬轉(zhuǎn)讓聚能國際24.5%股權(quán)

晶方科技擬加強對第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件公司VisIC的投資

西安電子科技大學(xué)劉志宏：面向移動SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件研究進展

中電科第十三研究所梁士雄：基于氮化鎵肖特基二極管的高性能太赫茲倍頻器

美國Analog設(shè)備張薇葭：基于直接鍵合工藝液冷散熱技術(shù)的緊湊型氮化鎵功率模塊設(shè)計及其熱學(xué)模型研究

最新進展分享氮化鎵功率電子器件論壇成功舉行

美國康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING：對抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

晶湛半導(dǎo)體總部大樓正式奠基，標志著氮化鎵外延材料產(chǎn)業(yè)化基地正式啟航

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乘風(fēng)破浪，誰將會傲立潮頭？

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化鎵功率器件論壇最新日程出爐

環(huán)旭電子宣布投資氮化鎵系統(tǒng)有限公司加碼功率電子戰(zhàn)略

IFWS 2021前瞻：中國電科首席科學(xué)家馮志紅將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇

聞泰科技：安世半導(dǎo)體推出領(lǐng)先性能的氮化鎵功率器件 (GaN FET)

2022年全球氮化鎵行業(yè)市場現(xiàn)狀及發(fā)展前景分析

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華為發(fā)布66W氮化鎵超薄充電器厚度減少62%

【CASICON 2021】廈門大學(xué)梅洋：氮化鎵基VCSEL技術(shù)進展

CASICON 2021：2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會最新看點

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2020年度蘇州工業(yè)園區(qū)納米氮化鎵專項補貼申報啟動

港科大開發(fā)基于氮化鎵的互補邏輯集成電路，極大提升第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用前景

努比亞發(fā)布65W四口氮化鎵充電器采用第三代氮化鎵技術(shù)

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)陳敦軍教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會

華燦光電：已與多個終端客戶公司開展氮化鎵電力電子器件等應(yīng)用領(lǐng)域合作

中科半導(dǎo)體氮化鎵外延片及單晶襯底材料研發(fā)生產(chǎn)項目落戶贛州經(jīng)開區(qū)

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