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臺(tái)灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長！

簡述SiC碳化硅單晶的生長原理

IFWS：碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)前沿研究

現(xiàn)場火爆！IFWS：氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)論壇召開

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

開年重要碳化硅半導(dǎo)體論壇！直擊碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)前沿進(jìn)展

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購廢標(biāo)公告

山東大學(xué)4英寸HVPE氮化鎵單晶生長爐采購競爭性磋商公告

IFWS 前瞻：氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分會(huì)日程出爐

賽微電子已具備6-8英寸GaN外延材料生長能力正在推動(dòng)山東GaN產(chǎn)線建設(shè)

晶盛機(jī)電已成功生長出8英寸碳化硅晶體，并建設(shè)6英寸碳化硅晶體研發(fā)實(shí)驗(yàn)線

晶盛機(jī)電：已成功生長出8英寸碳化硅晶體

中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院（微電子學(xué)院）晶圓級(jí)二維原子晶體材料MOCVD生長系統(tǒng)采購項(xiàng)目公開招標(biāo)公告

復(fù)旦大學(xué)單晶襯底生長系統(tǒng)采購公開招標(biāo)公告

4英寸氧化鎵單晶生長與性能分析

突破SiC生長關(guān)鍵核心材料解決關(guān)鍵材料“進(jìn)口”依賴

晶盛機(jī)電已成功生長出8英寸碳化硅晶體

IFWS 2022前瞻：氮化物襯底材料生長與外延

IFWS 2022看點(diǎn)前瞻：碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術(shù)

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實(shí)現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長集成

哈爾濱工業(yè)大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過選擇性生長方法制備了準(zhǔn)垂直金剛石肖特基二極管

晶盛機(jī)電已成功生長出8英寸碳化硅晶體，將提升在第三代半導(dǎo)體材料端的競爭力

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長獲得成功

在納米圖案化藍(lán)寶石襯底（NPSS）上實(shí)現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

科友半導(dǎo)體應(yīng)用電阻長晶爐突破高速率高品質(zhì)SiC晶體生長的關(guān)鍵技術(shù)

中國科學(xué)院物理研究所張廣宇課題組實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓尺度均勻多層二硫化鉬連續(xù)薄膜可控逐層外延生長

恒普科技量產(chǎn)推出新一代2.0版SiC電阻晶體生長爐

南京大學(xué)、東南大學(xué)在雙層二維半導(dǎo)體外延生長核心技術(shù)取得新突破

南京大學(xué)等突破雙層二維半導(dǎo)體外延生長核心技術(shù)

重磅發(fā)布 | 新一代SiC晶體生長爐，突破行業(yè)核心需求

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