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廈門(mén)大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊(duì)：人工智能無(wú)損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長(zhǎng)

CASA立項(xiàng)《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》標(biāo)準(zhǔn)

實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅單晶、2024年度科研資金超百億元

天岳先進(jìn)：持續(xù)進(jìn)行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長(zhǎng)效率和質(zhì)量

昆明理工大學(xué)在溶液法生長(zhǎng)高純3C-SiC晶體研究方面取得進(jìn)展

電子科技大學(xué)氮化物寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)配件與制備耗材采購(gòu)項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商采購(gòu)公告

中科院物理所陳小龍團(tuán)隊(duì)：晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)取得突破

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

北京大學(xué)教授于彤軍：大尺寸AlN單晶生長(zhǎng)研究

IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長(zhǎng)

晶盛機(jī)電：公司碳化硅生長(zhǎng)設(shè)備為自研自用

太原理工大學(xué)和武漢大學(xué)在金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

IFWS 2023│晶格領(lǐng)域張澤盛：液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體

IFWS 2023│中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長(zhǎng)及深能級(jí)缺陷研究

IFWS 2023│中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長(zhǎng)GaN單晶襯底的研究進(jìn)展

IFWS 2023│氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)召開(kāi)

SSLCHINA2023│北京大學(xué)教授陳志忠：利用溝槽結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)高效率InGaN紅光

IFWS 2023前瞻│碳化硅襯底、外延材料生長(zhǎng)與加工分會(huì)日程出爐

IFWS 2023前瞻│氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

南京郵電大學(xué)張茂林：氧化鎵材料生長(zhǎng)與陣列探測(cè)器研究

天通股份：公司已掌握800公斤級(jí)C向藍(lán)寶石晶體的生長(zhǎng)技術(shù)

晶盛機(jī)電：公司成功研發(fā)出具有國(guó)際先進(jìn)水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)陳冉升:六方氮化硼薄膜生長(zhǎng)及hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)電學(xué)特性的研究

簡(jiǎn)述GaN 外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

晶升股份擬1億元投建半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)設(shè)備生產(chǎn)及實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目

國(guó)際領(lǐng)先！新一代SIC晶體生長(zhǎng)用材料

中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展候選推薦——溶液生長(zhǎng)BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高靈敏X-射線探測(cè)

國(guó)內(nèi)首家！廈門(mén)大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

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