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西安衛(wèi)光科技李樸：600V超結(jié)MOSFET器件研究

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

陜西科技大學(xué)尉國棟：SiC基微型核電池研究進(jìn)展

中國電氣裝備集團(tuán)研究院田鴻昌：碳化硅功率半導(dǎo)體器件與新型電力系統(tǒng)應(yīng)用

【CASICON 2023 西安站】西安交通大學(xué)楊旭教授：寬禁帶器件應(yīng)用與集成化研究進(jìn)展

清研半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶吳中總投資50億元

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進(jìn)展

CASICON西安前瞻| 中國科學(xué)院半導(dǎo)體所青年研究員梁鋒：大功率GaN基藍(lán)光激光器研究進(jìn)展

CASICON西安前瞻| 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進(jìn)展

CASICON西安前瞻|?西北工業(yè)大學(xué)王維佳：可回收光催化劑的結(jié)構(gòu)調(diào)控與催化性能研究

CASICON西安前瞻|?中山大學(xué)教授裴艷麗：基于-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

CASICON西安前瞻| 陜西師范大學(xué)李曉輝：低維材料的非線性光學(xué)特性及超快光纖激光技術(shù)研究

江蘇省第三代半導(dǎo)體研究院邀您參加CASICON 2023西安論壇

CASICON西安前瞻| 中山大學(xué)裴艷麗教授：基于ε-Ga2O3日盲紫外探測器件研究

韓國政府推進(jìn)“化合物功率半導(dǎo)體”研發(fā)項(xiàng)目，總費(fèi)用近1400億韓元

教育部：針對集成電路等核心技術(shù)“卡脖子”問題，集中力量開展科研攻關(guān)

我國成功研制新型光學(xué)晶體可滿足半導(dǎo)體晶圓檢測等領(lǐng)域重大需求

CASICON西安站前瞻|AlGaN基深紫外LED局域化光電性能研究

晶盛機(jī)電：公司成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的 8 英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備

廈大團(tuán)隊(duì)研制成功拓?fù)渥孕虘B(tài)光源芯片

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)陳冉升:六方氮化硼薄膜生長及hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)電學(xué)特性的研究

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場效應(yīng)晶體管研究

CASICON西安站前瞻|陜西科技大學(xué)尉國棟：SiC基微型核電池的研究

CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

CASICON 2023前瞻北京大學(xué)副教授許福軍：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件研究

石墨烯/GaN異質(zhì)結(jié)中的雙極性光響應(yīng)及其在自由空間安全光通信中的應(yīng)用研究

研究稱芯片中的硅或可被新材料取代

中微公司在針對美商科林研發(fā)提起的侵犯商業(yè)秘密案中贏得二審勝訴

溫州大學(xué)團(tuán)隊(duì)在集成電路和傳感器頂級期刊發(fā)表研究成果

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