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2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)寧?kù)o：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

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2025云南晶體大會(huì)前瞻|南京大學(xué)修向前：氮化鎵襯底生長(zhǎng)工藝及設(shè)備技術(shù)研究

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件劉新科研究員團(tuán)隊(duì)：通過(guò)PEALD-GaO?界面工程實(shí)現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

廈門(mén)大學(xué)&廈門(mén)市未來(lái)顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)基于氮化物表面電子態(tài)演化開(kāi)發(fā)出Micro LED側(cè)壁鈍化新方法

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：硅基III-V族材料外延及異質(zhì)集成研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

派瑞股份與西電所簽署合作協(xié)議，研發(fā)制造中高壓IGBT功率器件

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)研究

北京大學(xué)電子學(xué)院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強(qiáng)度研究中取得重要進(jìn)展

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大金清研亮相半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展，展示在地化先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案

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