9月26-28日，“2025新一代半導(dǎo)體晶體材料技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)”將于云南昆明舉辦。屆時(shí)，云南大學(xué)材料與能源學(xué)院副研究員、博士生導(dǎo)師，云南大學(xué)“光電子與微電子”重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任，云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司科技副總經(jīng)理邱鋒將受邀出席論壇，并帶來了《晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控》的主題報(bào)告，敬請(qǐng)關(guān)注！ 

嘉賓簡(jiǎn)介

邱鋒，云南大學(xué)材料與能源學(xué)院副研究員、博士生導(dǎo)師，國(guó)家基礎(chǔ)加強(qiáng)計(jì)劃技術(shù)領(lǐng)域重點(diǎn)項(xiàng)目（173）負(fù)責(zé)人，省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃負(fù)責(zé)人，云南省產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新人才及興滇青年人才，云南大學(xué)“光電子與微電子”重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任，云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司科技副總經(jīng)理。從事開展第一性原理理論計(jì)算、二維材料（graphene、MoS2、h-BN等）制備科學(xué)、二維材料集成YBCO、Ge、InP等范德華外延、光電探測(cè)器及其光電集成一體化、戰(zhàn)略半導(dǎo)體（鍺、磷化銦）晶片產(chǎn)業(yè)化等研究與攻關(guān)。累計(jì)主持國(guó)家173技術(shù)領(lǐng)域重點(diǎn)項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金、省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、省重點(diǎn)項(xiàng)目等專項(xiàng)16項(xiàng)，總經(jīng)費(fèi)超1000萬；在eScience、ACS nano、Cell Reports Physical Science、Advanced Optical Materials等高水平期刊發(fā)表研究論文80余篇；授權(quán)專利30余項(xiàng)。獲省政府自然科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)；學(xué)術(shù)兼職eScience、Chip、Information＆Functional Materials、Nano-Micro Letters、紅外與毫米波學(xué)報(bào)等期刊青年編委。

單位簡(jiǎn)介

主持云南大學(xué)“光電子與微電子”重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，并聯(lián)合云南鍺業(yè)及其子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司的磷化銦（InP）單晶攻關(guān)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，開展高通量第一性原理與量子輸運(yùn)高通量理論研究，攻關(guān)6英寸大尺寸低位錯(cuò)InP、超高純Ge晶片、高遷移率4英寸GaSb晶片等戰(zhàn)略半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)關(guān)鍵技術(shù)，研發(fā)Graphene、GeSn QDs、高溫超導(dǎo)體YBCO等新型光電材料生長(zhǎng)與物性研究，構(gòu)建新型紅外探測(cè)器、場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管、陣列微電子器件等低功耗高性能光電子微電子芯片。

報(bào)告前瞻

報(bào)告題目：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

報(bào)告摘要：超高遷移率及界面調(diào)控是超純單晶材料及高速光電器件的關(guān)鍵品質(zhì)因子。然而，單晶本征缺陷的識(shí)別與抑制科學(xué)是單晶生長(zhǎng)的關(guān)鍵科學(xué)問題；非故意摻雜引入的多種散射機(jī)制往往會(huì)嚴(yán)重削弱遷移率性能，不可控的界面工程也頻繁導(dǎo)致器件失效。因此，如何厘清遷移率退化的物理根源仍是一個(gè)開放且技術(shù)難度極高的問題；復(fù)雜缺陷識(shí)別及其底層缺陷調(diào)控散射機(jī)制亟待闡明；高遷移率的補(bǔ)償摻雜效應(yīng)及其散射機(jī)制一直是亟需攻關(guān)的科學(xué)問題；深度理解極性晶體材料中的光學(xué)聲子散射（Fröhlich散射）行為也高品質(zhì)遷移率材料設(shè)計(jì)提供思路。本研究開展了戰(zhàn)略關(guān)鍵半導(dǎo)體（InP單晶、GaSb單晶）的本征缺陷、非故意缺陷的識(shí)別、第一性、抑制技術(shù)等研究，闡述了極性半導(dǎo)體的本征缺陷特性及其載流子散射機(jī)理，為開發(fā)高品質(zhì)半導(dǎo)體晶片奠定堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。

 附會(huì)議信息： 

【會(huì)議時(shí)間】 2025年9月26-28日

【會(huì)議地點(diǎn)】云南·昆明 

【指導(dǎo)單位】

  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

  中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

【主辦單位】

  云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

 極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.ppsjj.cn）

 半導(dǎo)體照明網(wǎng)(www.china-led.net)

 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

【承辦單位】

云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

【支持單位】

賽迪智庫集成電路研究所

 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

 云南大學(xué)

 山東大學(xué)

 云南師范大學(xué)

 昆明理工大學(xué)

 晶體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

.....

【關(guān)鍵材料】

1、鍺、硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

2、氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

3、氮化鋁、金剛石、氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵技術(shù)、器件工藝及應(yīng)用研究；

【主要方向】

1.化合物半導(dǎo)體單晶與外延材料

（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵，碳化硅，氮化鋁，氧化鎵，氮化硼，藍(lán)寶石，鈮酸鋰等晶體、外延生長(zhǎng)及模擬設(shè)計(jì)等）

2. 硅、高純鍺及鍺基材料

（大硅片生長(zhǎng)及及應(yīng)用，直拉法或區(qū)熔法等單晶生長(zhǎng)，原料提純，GeSi、GeSn、GeC 等多元單晶薄膜，切片與機(jī)械拋光，摻雜調(diào)控離子注入等） 

3.高純金屬、原輔料制備及晶體外延生長(zhǎng)與加工關(guān)鍵裝備

（高純前驅(qū)體，高純?cè)噭?，高純氣體，高純粉體， 長(zhǎng)晶爐，MOCVD,  MBE, LPE，PVT 等外延生長(zhǎng)裝備，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及拋光設(shè)備與材料，檢測(cè)設(shè)備等）

4.測(cè)試評(píng)價(jià)及AI for Science

（AI 驅(qū)動(dòng)的測(cè)試評(píng)價(jià)革新， 缺陷工程與摻雜策略、晶體生長(zhǎng)智能調(diào)控、缺陷實(shí)時(shí)檢測(cè)與修復(fù)，多尺度建模，綠色制造優(yōu)化 等）

5.光電子器件工藝與應(yīng)用

（發(fā)光二極管，激光二極管，光電探測(cè)器件，太陽能電池，照明與顯示，激光雷達(dá)，光通信，量子技術(shù)等）

6.通訊射頻器件工藝與應(yīng)用

（功率放大器，低噪聲放大器，濾波器，開關(guān)器件，移動(dòng)通信，衛(wèi)星通信，低空飛行器，無人機(jī)，射頻能量等）

7.能源電子及應(yīng)用

（風(fēng)電&光伏&儲(chǔ)能新能源，電動(dòng)汽車，數(shù)據(jù)中心，工業(yè)電源，電機(jī)節(jié)能，軌道交通，智能電網(wǎng)，航空航天，工業(yè)控制，變頻家電，消費(fèi)電子，儀器儀表等）

8.綠色廠務(wù)及質(zhì)量管控

（潔凈廠房，高純水制備，化學(xué)品供應(yīng)，特氣供應(yīng)，廢氣處理及排放，廢液處理，大宗氣體供應(yīng)及質(zhì)量管控等）

【程序委員會(huì)】

大會(huì)主席：惠峰 （云南鍺業(yè)）

副主席：陳秀芳（山東大學(xué)）、趙璐冰（CASA)

委員：趙德剛（中科院半導(dǎo)體所）、康俊勇（廈門大學(xué)）、 徐寶強(qiáng)（昆明理工）、皮孝東（浙江大學(xué)）、耿博（CASA)、王軍喜（中科院半導(dǎo)體所）、孫錢（中科院蘇州納米所）、王垚浩（南砂晶圓)、 涂潔磊（云師大）、王宏興（西交大）、彭燕（山東大學(xué)）、李強(qiáng)（西交大）、寧靜（西電）、修向前（南京大學(xué)）、郭杰（云師大）、王茺（云南大學(xué)）、邱峰（云南大學(xué)）、楊杰（云南大學(xué)）、謝自力（南京大學(xué)）、葛振華（昆明理工大學(xué)）、田陽（昆明理工大學(xué)）、魏同波（中科院半導(dǎo)體所）、許福軍（北京大學(xué)）、徐明升（山東大學(xué)）、孫海定（中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)）、田朋飛（復(fù)旦大學(xué)）、劉玉懷（鄭州大學(xué)）、朱振（浪潮華光）、楊曉光（中科院半導(dǎo)體所）、高娜（廈門大學(xué)）、陳飛宏（云南鍺業(yè)）、康森（天通控股）、解楠（賽迪研究院 )、房玉龍（中電科十三所）、鄧家云（昆明理工大學(xué)）、李寶學(xué)（云鍺紅外） ......等

【日程安排】

【擬參與單位】

中科院半導(dǎo)體所、鑫耀半導(dǎo)體，南砂晶圓，藍(lán)河科技，天通控股，中電科十三所，南京大學(xué)，廈門大學(xué)，士佳光子，云鍺紅外，昆明理工大學(xué)，西安電子科技大學(xué)，中科院物理所，中電科四十八所，陜西源杰，九峰山實(shí)驗(yàn)室，中微公司，矢量集團(tuán)，晶盛機(jī)電，連科半導(dǎo)體，晶澳太陽能  美科太陽能 高景太陽能   中研科精密 華夏芯智慧光子，國(guó)聯(lián)萬眾，凝慧電子，晶湛半導(dǎo)體，英諾賽科，中光睿華，連城數(shù)控，云南大學(xué)，阿特斯陽光電力，山東大學(xué)，云南師范大學(xué)，中科院技物所，隆基電磁， 晶鎵半導(dǎo)體，南砂晶圓、西安聚能超導(dǎo)，蘇州納維，中科院物理所，浙江大學(xué)，云南鍺業(yè)，通美晶體，三安光電，電子科技大學(xué)，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所，廣東工業(yè)大學(xué)，南方科技大學(xué)， 隆基綠能，合盛硅業(yè)，中光睿華，復(fù)旦大學(xué)，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)， 西安交通大學(xué)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院， 光迅科技，鎵和半導(dǎo)體 全磊光電 新易盛  昆明物理所，科友半導(dǎo)體，STR，河北同光，香港科技大學(xué)，深圳納設(shè) 中科院蘇州納米所，中科院上海光機(jī)所，哈工大等等 

【活動(dòng)參與】

1、注冊(cè)費(fèi)：會(huì)議通票2800元；早鳥票：9月20日前注冊(cè)報(bào)名2600元；（含會(huì)議資料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。

2、繳費(fèi)方式：

①銀行匯款

開戶行：中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行

賬 號(hào)：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司 

②在線注冊(cè)

掃碼注冊(cè)報(bào)名

③現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)（微信+支付寶）

【論文投稿及報(bào)告咨詢】

賈老師:18310277858，jiaxl@casmita.com 

李老師:18601994986，linan@casmita.com 

【參會(huì)參展及商務(wù)合作】

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com 

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com 

【會(huì)議酒店】

酒店名稱：昆明億壕城堡溫德姆至尊酒店

酒店地址：中國(guó)（云南）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)昆明片區(qū)經(jīng)開區(qū)楓丹白露花園

協(xié)議價(jià)格：430元/晚（含雙早）

酒店預(yù)定聯(lián)系: 陳經(jīng)理，13759452505(微信同號(hào)）

郵箱：13759452505@139.com