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商務(wù)部：鼓勵外商投資企業(yè)及其設(shè)立的研發(fā)中心承擔(dān)重大科研攻關(guān)項目

恒大汽車獲中東資本5億美元戰(zhàn)投，加速恒馳5量產(chǎn)及新車型研發(fā)

新昇半導(dǎo)體集成電路硅材料工程研發(fā)配套項目封頂，將于2024年建成投用

上海新昇半導(dǎo)體集成電路硅材料工程研發(fā)配套項目封頂，計劃明年投用

集成芯片前沿技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)重大研究計劃2023年度項目指南通告發(fā)布

全國首家省市級工業(yè)元宇宙5G創(chuàng)新研究中心成立

南京郵電大學(xué)張茂林：氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

山東大學(xué)徐明升：金剛石場效應(yīng)晶體管及深紫外光電探測研究

廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

西安電子科技大學(xué)王逸飛：基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

中山大學(xué)裴艷麗：基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

三安光電：800G光模塊應(yīng)用的光收發(fā)芯片正在研發(fā)中

西安電子科技大學(xué)許晟瑞：襯底工程對氮化物L(fēng)ED的影響研究

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西北工業(yè)大學(xué)副教授王維佳：可回收光催化劑的結(jié)構(gòu)調(diào)控與催化性能研究

中鎵半導(dǎo)體劉強：面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進展

中電科第五十五研究所黃潤華：SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開發(fā)進展

西安交通大學(xué)王瑋：低功函數(shù)柵極增強型氫終端單晶金剛石場效應(yīng)晶體管研究

西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

萊特葳芯半導(dǎo)體劉天奇：智能化高頻高壓氮化鎵驅(qū)動技術(shù)研究進展

西安衛(wèi)光科技李樸：600V超結(jié)MOSFET器件研究

中電科13所敦少博：高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

陜西科技大學(xué)尉國棟：SiC基微型核電池研究進展

中國電氣裝備集團研究院田鴻昌：碳化硅功率半導(dǎo)體器件與新型電力系統(tǒng)應(yīng)用

【CASICON 2023 西安站】西安交通大學(xué)楊旭教授：寬禁帶器件應(yīng)用與集成化研究進展

清研半導(dǎo)體項目落戶吳中總投資50億元

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進展

CASICON西安前瞻| 中國科學(xué)院半導(dǎo)體所青年研究員梁鋒：大功率GaN基藍光激光器研究進展

CASICON西安前瞻| 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進展

CASICON西安前瞻|?西北工業(yè)大學(xué)王維佳：可回收光催化劑的結(jié)構(gòu)調(diào)控與催化性能研究

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