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CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學(xué)羅小蓉：《氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)、驅(qū)動和電源應(yīng)用

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

捷捷微電子“一種帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的屏蔽柵IGBT”專利公布

宏微科技取得電動汽車用IGBT或MOSFET版圖結(jié)構(gòu)專利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小

長鑫存儲“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲器”專利公布

比亞迪半導(dǎo)體申請終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件專利，能夠提高耐壓值

北京大學(xué)申請大尺寸高熱導(dǎo)率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率

晶合集成申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

中芯國際“電容器結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布

華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目主體結(jié)構(gòu)順利封頂

長電科技申請光電芯片互聯(lián)封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

華南師范大學(xué)王幸福：GaN微納結(jié)構(gòu)及其光電子器件研究

光谷筑芯科技產(chǎn)業(yè)園主體結(jié)構(gòu)提前封頂

比亞迪半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)、制備方法及半導(dǎo)體器件專利

北京大學(xué)申請半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)專利

大阪公立大學(xué)梁劍波：增強 GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實際器件應(yīng)用

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

IFWS 2023│氮矽科技朱仁強：增強型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計進展

IFWS 2023│高通量方法輔助篩選和預(yù)測半導(dǎo)體界面結(jié)構(gòu)——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例

IFWS 2023│中國電子科技集團第四十六研究所孫杰：高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能

IFWS 2023│廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測器的開發(fā)

IFWS 2023│中國電子科技集團第五十五研究所黃潤華：750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對器件特性的影響研究

SSLCHINA2023│北京大學(xué)教授陳志忠：利用溝槽結(jié)構(gòu)生長高效率InGaN紅光

旭光電子：氮化鋁結(jié)構(gòu)件已應(yīng)用于半導(dǎo)體光刻工藝等且實現(xiàn)銷售

杭州寶鼎乾芯6英寸半導(dǎo)體項目主體結(jié)構(gòu)全部完成

潤鵬半導(dǎo)體12英寸集成電路生產(chǎn)線項目主體結(jié)構(gòu)封頂

IGBT模塊熱阻降30%-40%，翠展微電子提出一體化逆變磚模塊結(jié)構(gòu)

廈門大學(xué)教授張洪良：氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

華為公布“芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備”專利

廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

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