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總投資90億，惠科Mini LED背光/直顯項(xiàng)目主廠房主體結(jié)構(gòu)全面封頂

廈大物理團(tuán)隊(duì)突破SiC雪崩探測(cè)器技術(shù)瓶頸，新型結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低電壓高增益探測(cè)

富春灣光電激光核心制造項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)已全面封頂，計(jì)劃于2026年上半年完工

總投資2.3億元，浙江建德LED材料項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂

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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|三重大學(xué)Hideto Miyake：面對(duì)面退火濺射沉積AlN模板上DH結(jié)構(gòu)的UVC LED

通合科技高功率充電模塊產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目（一期）主體結(jié)構(gòu)封頂

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門(mén)大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南師范大學(xué)郭杰：鍺硫?qū)倩衔颎e-VIA（GeS/GeSe/GeTe）二維材料的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)寧?kù)o：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

科研成果 | 唐寧、沈波團(tuán)隊(duì)與合作者利用深紫外光譜在原子級(jí)薄超寬禁帶半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進(jìn)展

歌爾股份擬百億港元收購(gòu)兩家企業(yè)，強(qiáng)化精密結(jié)構(gòu)件業(yè)務(wù)布局

總投資11.6億元上海澤豐半導(dǎo)體項(xiàng)目生產(chǎn)廠房主體結(jié)構(gòu)封頂

Wolfspeed宣布采取下一步措施實(shí)施重組支持協(xié)議并主動(dòng)強(qiáng)化資本結(jié)構(gòu)

復(fù)旦大學(xué)研究人員等在新型半導(dǎo)體表界面結(jié)構(gòu)與缺陷研究方面取得系列進(jìn)展

上海積塔半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)專利，提升開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)效率

甬矽電子獲得發(fā)明專利授權(quán)：“半導(dǎo)體封裝方法和半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)”

晶合集成獲得發(fā)明專利授權(quán)：“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法”

瀚薪科技浙江麗水碳化硅封測(cè)項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂

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CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)葉建東：氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

年產(chǎn)值8億元，這一激光項(xiàng)目一期主體結(jié)構(gòu)封頂！

瑤芯微申請(qǐng)溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動(dòng)態(tài)損耗

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

蘇州長(zhǎng)光華芯取得模式調(diào)控半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

中國(guó)科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

中芯國(guó)際申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

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