據國家知識產權局公告，比亞迪（002594）半導體股份有限公司申請一項名為“半導體器件終端結構、制備方法及半導體器件“，公開號CN117374099A，申請日期為2022年6月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種半導體器件終端結構、制備方法及半導體器件，該終端結構包括：漏極電極，位于漏極電極上的襯底，位于襯底上的外延層，位于外延層上的金屬場板和鈍化層；外延層遠離襯底一側的兩端還分別設置有主結區(qū)和截止環(huán)，主結區(qū)和截止環(huán)之間的外延層內沿外延層的豎向依次設置至少兩層場限環(huán)結構，每層場限環(huán)結構均包括沿外延層橫向分布的至少一個場限環(huán)，靠近襯底的場限環(huán)結構中場限環(huán)的數量小于靠近金屬場板的場限環(huán)結構中場限環(huán)的數量且每層場限環(huán)結構最外側的場限環(huán)沿襯底至金屬場板的方向呈階梯狀設置；鈍化層從主結區(qū)起覆蓋至截止環(huán)的部分區(qū)域，金屬場板覆蓋于截止環(huán)上未被鈍化層覆蓋的區(qū)域。本發(fā)明可以提高擊穿電壓及器件的可靠性。