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寧波材料所開發(fā)出4英寸超薄、超低翹曲金剛石自支撐薄膜

西安交大劉明教授團隊在柔性自支撐反鐵電氧化物單晶薄膜研究方面取得新進展

新進展！西安交通大學實現2英寸單晶金剛石異質外延自支撐襯底量產

中鎵半導體：挑戰(zhàn)最高GaN體電阻率，開發(fā)更高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底

深圳大學劉新科研究員團隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關型PGaN柵極HEMT

中鎵半導體：低位錯密度氮化鎵自支撐襯底產品已經量產銷售

中鎵半導體劉強：2英寸低位錯密度高電導率和半絕緣氮化鎵自支撐襯底的生長

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