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深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

天岳先進(jìn)：公司8英寸碳化硅襯底研發(fā)進(jìn)展順利

天岳先進(jìn)：已自主研發(fā)出2-6英寸半絕緣型及導(dǎo)電型碳化硅襯底制備技術(shù)

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

SiC或?qū)⒂霸鏊僮羁臁比辏?span id="x3zdwgr" class="highlight">襯底大廠釋放積極信號(hào) 撐起板塊漲停潮

年產(chǎn)10萬片碳化硅襯底項(xiàng)目投產(chǎn)

蘇州納維總部大樓榮耀封頂！預(yù)計(jì)年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片以上

蘇州納維科技發(fā)布設(shè)備輔材、襯底外延、器件加工限時(shí)優(yōu)惠福利活動(dòng) 5折起

住友化學(xué)合并GaN襯底子公司Sciox

突破！一次擴(kuò)徑技術(shù)，碳化硅襯底從6英寸直接擴(kuò)到8英寸！

盛美上海推出新型預(yù)清洗設(shè)備適用于硅片和碳化硅襯底制造

超芯星6英寸碳化硅襯底進(jìn)入美國高端市場(chǎng)

第三代半導(dǎo)體半年追蹤：落地項(xiàng)目已近百億元，襯底技術(shù)取得新進(jìn)展

“上車、逐光”碳化硅產(chǎn)業(yè)雙通道加速跑，襯底和外延是最大掣肘！

在納米圖案化藍(lán)寶石襯底（NPSS）上實(shí)現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

奧趨光電發(fā)布高性能、耐超高溫AlN單晶襯底基AlScN壓電材料新產(chǎn)品

突破8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)關(guān)鍵難題，與國際差距在2~3年之內(nèi)！

生產(chǎn)SiC襯底片所用設(shè)備100%國產(chǎn)化！露笑科技募資加碼碳化硅項(xiàng)目獲批復(fù)

資本蜂擁的碳化硅襯底市場(chǎng)，各大項(xiàng)目進(jìn)展如何？

寬禁帶半導(dǎo)體GaN單晶襯底項(xiàng)目、Wi-Fi Halow芯片項(xiàng)目等重大項(xiàng)目落地蘇州高新區(qū)

GaN單晶襯底減薄新技術(shù)

晶盛機(jī)電碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項(xiàng)目迎新動(dòng)態(tài)

Soitec 發(fā)布首款 200mm SmartSiC? 碳化硅優(yōu)化襯底

產(chǎn)能處于飽和狀態(tài)！天岳先進(jìn)2021全年碳化硅襯底產(chǎn)量約6.7萬片

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

露笑科技：目前公司6英寸碳化硅襯底晶片已形成銷售

豐田合成成功量產(chǎn)6英寸氮化鎵單晶襯底

Soitec 宣布在法國貝寧增設(shè)生產(chǎn)線，用于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅襯底

法國Soitec半導(dǎo)體公司宣布增設(shè)生產(chǎn)線，用于生產(chǎn)創(chuàng)新型碳化硅襯底

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