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晶盛機(jī)電碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項(xiàng)目落戶銀川

晶盛機(jī)電：中試線產(chǎn)出的6英寸碳化硅襯底達(dá)到或者優(yōu)于業(yè)內(nèi)技術(shù)水平

露笑科技：6英寸碳化硅襯底晶片已形成銷售

露笑科技碳化硅長晶爐已有112臺安裝完畢，碳化硅襯底片已形成銷售

中鎵半導(dǎo)體：低位錯(cuò)密度氮化鎵自支撐襯底產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)銷售

天岳先進(jìn)：公司募投項(xiàng)目主要用于生產(chǎn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底

三安光電：砷化鎵襯底還是以外購為主

露笑科技6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片已批量生產(chǎn)，產(chǎn)線處于產(chǎn)能爬坡階段

華潤微透露：未自建碳化硅襯底產(chǎn)線，但具備快速調(diào)整碳化硅晶圓產(chǎn)能的能力

露笑科技6英寸碳化硅襯底晶片已形成銷售

露笑科技最新調(diào)研情況：公司6英寸碳化硅襯底晶片已形成銷售

露笑科技：增資合肥露笑半導(dǎo)體，加碼擴(kuò)產(chǎn)碳化硅襯底

碳化硅襯底供不應(yīng)求資本搶灘新能源汽車市場

天岳先進(jìn)12月31日申購：全球半絕緣型碳化硅襯底市場前三企業(yè)

中科院半導(dǎo)體研究所張逸韻：玻璃襯底氮化物異構(gòu)外延

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：2英寸低位錯(cuò)密度高電導(dǎo)率和半絕緣氮化鎵自支撐襯底的生長

河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所陳荔：基于藍(lán)寶石襯底的半極性面AlN外延及高溫?zé)崽幚硌芯?/a>

最新關(guān)注氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)進(jìn)展

北京大學(xué)物理學(xué)院楊學(xué)林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

鄭州大學(xué)劉玉懷：六方氮化硼薄膜在不同襯底上的生長研究綜述

鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass：藍(lán)寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究

挪威科學(xué)院院士Helge WEMAN：使用石墨烯作為透明導(dǎo)電襯底的AlGaN納米線UV LED

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乘風(fēng)破浪，誰將會傲立潮頭？

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：碳化硅襯底與外延論壇最新日程出爐

IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)論壇最新日程出爐

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)在硅襯底GaN基縱向功率器件方面取得新進(jìn)展

深圳大學(xué)劉新科：基于氮化鎵單晶襯底的半導(dǎo)體器件

東尼電子：目前公司碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目主要研發(fā)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底材料

【CASICON 2021】北京大學(xué)楊學(xué)林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術(shù)研究進(jìn)展

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