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深圳平湖實驗室8英寸1200 V增強型Si基GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性突破

Wolfspeed宣布推出車規(guī)級1200V系列分立式碳化硅MOSFET

Wolfspeed宣布推出工業(yè)級1200V系列分立式碳化硅MOSFET

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

Wolfspeed推出第四代1200V車規(guī)級裸芯片碳化硅MOSFET

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應用，贏得市場認可

CSPSD 2025前瞻|復旦大學劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

英諾賽科發(fā)布自主開發(fā)的1200V氮化鎵產(chǎn)品

瞻芯電子推出1200V SiC 半橋1B封裝模塊，助力高頻高效應用

我國攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

西安電子科技大學攻克 1200V 以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)

昕感科技推出兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V/13mΩ低導通電阻SiC MOSFET

漢陰縣年產(chǎn)1200噸半導體硅靶及加工項目簽約

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

淄博綠能芯創(chuàng)1200V 20mΩ SiC MOSFET首輪流片成功

清純半導體推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片

西安電子科技大學游淑珍：面向1200V功率應用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

致能科技首發(fā)1200V 高可靠性氮化鎵器件平臺

凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

納微半導體Q2總收入增至1810萬美元，出貨1億顆GaN+1200萬顆SiC

新能源汽車碳化硅MOSFET出貨量突破1200萬只

昕感科技1200V SiC MOSFET獲得AEC-Q101車規(guī)級認證

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件

首屆中國光谷九峰山論壇開幕，1200余嘉賓云集！共謀全球化合物半導體新未來

蘇州新目標：1200億

2030年我國汽車芯片需求預計將達到1000億-1200億顆

蘇州納米所孫錢團隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級認證

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