近日，Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺開發(fā)，為硬開關(guān)應用提供了優(yōu)異的性能。

C4MS 系列采用軟恢復體二極管，可實現(xiàn)快速開關(guān)，同時將過沖和振鈴降至最低，從而為工程師提供了更大的設計空間，以便在應用中調(diào)整和優(yōu)化性能。與前代 C3M 系列器件相比，C4MS 系列在開通能量 Eon、反向恢復能量 Err 和關(guān)斷能量 Eoff 損耗均有改善，同時在 125 °C 條件下的導通電阻 RDS(on) 降低了 22%。這種平衡設計可在廣泛的硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中提供最大的性能和效率。

除了改進的開關(guān)性能外，C4MS 系列還提供瞬態(tài)過壓能力、在高母線電壓下更長的使用壽命以及寬柵極電壓兼容性，以實現(xiàn)簡化的即插即用替換。

專注于太陽能逆變器、快速充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng) (ESS)、不間斷電源 (UPS) 和工業(yè)電源的設計工程師們，現(xiàn)在可以利用我們最新的第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET，以更少的器件滿足電力傳輸需求，通過簡化且具有成本效益的設計實現(xiàn)了多供應商采購靈活性。

新款器件提供 TO-247-4、TO-247-4 LP (Low Profile)(gate 和 Kelvin source pin 粗細優(yōu)化)、TO-263-7 XL 和頂部散熱 (U2) 封裝選項，可在所有工作模式下實現(xiàn)更高效的功率輸出，使電源和逆變器設計人員能夠以更具成本效益的方式最大化效率，同時降低物料清單 (BOM) 成本和采購挑戰(zhàn)。

·高效性能，無需妥協(xié)：在滿足您的效率與功率輸出目標的同時，提升功率密度，減小無源元件尺寸

·無畏挑戰(zhàn)性能極限：憑借我們的軟恢復體二極管，可抑制電壓尖峰并減少電壓降額，從而延長運行壽命，同時減少元件的熱應力

·簡化且具有成本效益的設計實現(xiàn)多供應商采購靈活性：我們具備 15 - 18 V 柵極驅(qū)動兼容性，可降低供應鏈風險，實現(xiàn)多供應商采購靈活性；0 V 關(guān)斷能力可實現(xiàn)更安全的運行并降低物料清單成本；同時有助于簡化 EMI 濾波器設計

此次推出的工業(yè)級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET 包括 16 個產(chǎn)品型號：

·C4MS025120K: 25 mΩ、TO-247-4 封裝

·C4MS025120K1: 25 mΩ、TO-247-4 LP 封裝

·C4MS025120J2-TR: 25 mΩ、TO-263-7 XL 封裝

·C4MS025120U2-TR: 25 mΩ、U2 (頂部散熱) 封裝

·C4MS036120K: 36 mΩ、TO-247-4 封裝

·C4MS036120K1: 36 mΩ、TO-247-4 LP 封裝

·C4MS036120J2-TR: 36 mΩ、TO-263-7 XL 封裝

·C4MS036120U2-TR: 36 mΩ、U2 (頂部散熱) 封裝

·C4MS047120K: 47 mΩ、TO-247-4 封裝

·C4MS047120K1: 47 mΩ、TO-247-4 LP 封裝

·C4MS047120J2-TR: 47 mΩ、TO-263-7 XL 封裝

·C4MS047120U2-TR: 47 mΩ、U2 (頂部散熱) 封裝

·C4MS065120K: 65 mΩ、TO-247-4 封裝

·C4MS065120K1: 65 mΩ、TO-247-4 LP 封裝

·C4MS065120J2-TR: 65 mΩ、TO-263-7 XL 封裝

·C4MS065120U2-TR: 65 mΩ、U2 (頂部散熱) 封裝

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