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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室8英寸1200 V增強(qiáng)型Si基GaN HEMT研發(fā)取得關(guān)鍵性突破

Wolfspeed宣布推出車規(guī)級(jí)1200V系列分立式碳化硅MOSFET

Wolfspeed宣布推出工業(yè)級(jí)1200V系列分立式碳化硅MOSFET

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

Wolfspeed推出第四代1200V車規(guī)級(jí)裸芯片碳化硅MOSFET

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用，贏得市場(chǎng)認(rèn)可

CSPSD 2025前瞻|復(fù)旦大學(xué)劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究

英諾賽科發(fā)布自主開(kāi)發(fā)的1200V氮化鎵產(chǎn)品

瞻芯電子推出1200V SiC 半橋1B封裝模塊，助力高頻高效應(yīng)用

我國(guó)攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn)

昕感科技推出兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V/13mΩ低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

漢陰縣年產(chǎn)1200噸半導(dǎo)體硅靶及加工項(xiàng)目簽約

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

淄博綠能芯創(chuàng)1200V 20mΩ SiC MOSFET首輪流片成功

清純半導(dǎo)體推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片

西安電子科技大學(xué)游淑珍：面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)

致能科技首發(fā)1200V 高可靠性氮化鎵器件平臺(tái)

凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

納微半導(dǎo)體Q2總收入增至1810萬(wàn)美元，出貨1億顆GaN+1200萬(wàn)顆SiC

新能源汽車碳化硅MOSFET出貨量突破1200萬(wàn)只

昕感科技1200V SiC MOSFET獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件

首屆中國(guó)光谷九峰山論壇開(kāi)幕，1200余嘉賓云集！共謀全球化合物半導(dǎo)體新未來(lái)

蘇州新目標(biāo)：1200億

2030年我國(guó)汽車芯片需求預(yù)計(jì)將達(dá)到1000億-1200億顆

蘇州納米所孫錢(qián)團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級(jí)認(rèn)證

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