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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞典隆德大學(xué)Anders GUSTASFSSON：用于RGB顯示器的微米級(jí)InGaN發(fā)光二極管高光譜陰極發(fā)光成像研究

英諾賽科為800 VDC電源架構(gòu)提供全GaN電源解決方案，賦能新一代AI Factories

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攻克行業(yè)空白！中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備

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英諾賽科宣布第三代700V GaN增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列全面上市

標(biāo)準(zhǔn) | 《高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用下GaN HEMT開(kāi)關(guān)可靠性試驗(yàn)方法》發(fā)布

新潔能延期包括第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測(cè)等三個(gè)募投項(xiàng)目

納微雙向GaN激活微逆單級(jí)“芯”突破

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國(guó)際首發(fā)！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

英諾賽科與聯(lián)合電子成立氮化鎵 (GaN) 技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室致力于新能源汽車電力電子系統(tǒng)開(kāi)發(fā)

廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

標(biāo)準(zhǔn)/“GaN HEMT開(kāi)關(guān)可靠性試驗(yàn)、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN破產(chǎn)損失高達(dá)100萬(wàn)歐元

《GaN半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書(shū)》啟動(dòng)編制工作，征集業(yè)內(nèi)機(jī)構(gòu)及企業(yè)參編單位！

氮矽科技推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

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國(guó)產(chǎn)突破！無(wú)錫先為科技首臺(tái)GaN MOCVD外延設(shè)備成功發(fā)貨

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