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《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試方法》等兩項團體標準形成征求意見稿

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揚杰科技申請高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

聯(lián)合攻關成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

北京大學申請高動態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動態(tài)穩(wěn)定性

性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產品

CASICON西安前瞻| 中國科學院半導體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進展

CASA發(fā)布《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術報告

東南大學牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術報告已形成委員會草案

標準 | CASA立項《射頻GaN HEMT結構的遷移率非接觸霍爾測量方法》等5項團體標準

東南大學牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術報告已形成委員會草案

東南大學牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術報告征求意見

東南大學牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術報告征求意見

芯導科技：第三代半導體650VGaNHEMT產品預計今年可實現(xiàn)量產

深圳大學劉新科研究員團隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關型PGaN柵極HEMT

東南大學牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術報告征求意見

技術分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強型氮化鎵HEMTs

Wolfspeed：GaN HEMT 大信號模型

標準 | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關電路的GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試方法》形成委員會草案

ROHM確立柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT的量產體制

河北半導體研究所高楠：國產4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質量AlGaN/GaN HEMT材料

西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層柵的高閾值增強型AlGaN/GaN HEMTs

中科院半導體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術研究

韓國Wavice Inc首席技術官Sangmin LEE：i-line步進器實現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

中國科技大學Alsaman A. amgad：HEMT器件通道內2DEG電荷的空間非均勻性

西交利物浦大學王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應用的MIS-HEMT

電子科技大學李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機理研究

IFWS 2021前瞻：中科院半導體研究所副所長張韻將出席射頻電子器件與應用論壇

【CASICON 2021】南京大學徐尉宗：面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術

【CASICON 2021】南京郵電大學張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術

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