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《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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揚(yáng)杰科技申請高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

北京大學(xué)申請高動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性

性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

CASICON西安前瞻| 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進(jìn)展

CASA發(fā)布《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評估》技術(shù)報(bào)告

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

標(biāo)準(zhǔn) | CASA立項(xiàng)《射頻GaN HEMT結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸霍爾測量方法》等5項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評估》技術(shù)報(bào)告征求意見

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評估》技術(shù)報(bào)告征求意見

芯導(dǎo)科技：第三代半導(dǎo)體650VGaNHEMT產(chǎn)品預(yù)計(jì)今年可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評估》技術(shù)報(bào)告征求意見

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

Wolfspeed：GaN HEMT 大信號模型

標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關(guān)電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》形成委員會(huì)草案

ROHM確立柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT的量產(chǎn)體制

河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪?qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs

中科院半導(dǎo)體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術(shù)研究

韓國Wavice Inc首席技術(shù)官Sangmin LEE：i-line步進(jìn)器實(shí)現(xiàn)的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

中國科技大學(xué)Alsaman A. amgad：HEMT器件通道內(nèi)2DEG電荷的空間非均勻性

西交利物浦大學(xué)王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-HEMT

電子科技大學(xué)李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機(jī)理研究

IFWS 2021前瞻：中科院半導(dǎo)體研究所副所長張韻將出席射頻電子器件與應(yīng)用論壇

【CASICON 2021】南京大學(xué)徐尉宗：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

【CASICON 2021】南京郵電大學(xué)張珺：基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技術(shù)

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