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CSPSD 2024成都前瞻|中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所程新紅：SiC MOSFET 過流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā)

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |重慶大學(xué)蔣華平：碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移

CSPSD 2024成都前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：如何使GaN功率器件如Si MOSFET一樣簡單易用？

芯聯(lián)集成：2024年公司還將計(jì)劃建成國內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET試驗(yàn)線

廣電計(jì)量申請SiCMOSFET體二極管雙極退化試驗(yàn)方法及裝置專利，提高了老化效率，加速了雙極退化

宏微科技取得電動汽車用IGBT或MOSFET版圖結(jié)構(gòu)專利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

瞻芯電子再推3款車規(guī)級第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

國基南方、55所：加速碳化硅MOSFET技術(shù)攻關(guān)，打造汽車電子中國“芯”

芯導(dǎo)科技申請TrenchMOSFET器件的自對準(zhǔn)的制備方法專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

北京大學(xué)申請?zhí)蓟杵矫鏂?span id="hxwowno" class="highlight">MOSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

淄博綠能芯創(chuàng)1200V 20mΩ SiC MOSFET首輪流片成功

清純半導(dǎo)體推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片

CASA立項(xiàng)11項(xiàng)SiC MOSFET測試類團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

SiC晶圓代工龍頭X-Fab宣布：收購MOSFET廠商M-MOS Semiconductor

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

清純半導(dǎo)體完成數(shù)億元Pre-B輪融資

廈門大學(xué)張峰：新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

首臺基于國產(chǎn)ＳiC-MOSFET的低壓配電網(wǎng)柔性調(diào)控裝置投運(yùn)

芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認(rèn)證，成功進(jìn)入新能源汽車供應(yīng)鏈！

安世半導(dǎo)體推出首款 SiC MOSFET

IFWS 2023│中國電子科技集團(tuán)第五十五研究所黃潤華：750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對器件特性的影響研究

納芯微：已發(fā)布SiC二極管和MOSFET產(chǎn)品，并逐步進(jìn)行客戶送樣和驗(yàn)證工作

中瓷電子：主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品主要面向比亞迪

中芯集成：公司實(shí)現(xiàn)了車規(guī)級碳化硅 MOSFET的規(guī)?；慨a(chǎn)，并已在車載主驅(qū)逆變大功率模組中使用

國星光電SiC-MOSFET器件獲得車規(guī)級認(rèn)證并通過HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核

啟方半導(dǎo)體與威世簽署功率MOSFET長期生產(chǎn)代工協(xié)議，旨在擴(kuò)大汽車半導(dǎo)體的供應(yīng)

中科漢韻交付超500片車用主驅(qū)SiC MOSFET

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