2月3日消息，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學申請一項名為“一種碳化硅平面柵MOSFET器件及其制備方法“，公開號CN117497597A，申請日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種碳化硅平面柵MOSFET器件及其制備方法。在傳統(tǒng)平面柵MOSFET器件的JFET區(qū)結(jié)構(gòu)上，首先通過刻蝕形成源極溝槽，利用刻蝕掩模，使用常規(guī)離子注入在溝槽下形成P型重摻雜區(qū)，再通過自對準工藝和傾斜離子注入形成P型基區(qū)和源區(qū)。相比于傳統(tǒng)器件結(jié)構(gòu)和工藝，本發(fā)明的平面柵MOSFET器件的P型重摻雜區(qū)、P型基區(qū)和源區(qū)的形成，只需要一次光刻，使用同一個注入掩模，即可完成所有的離子注入工藝，所需要考慮的光刻對準誤差更小，次數(shù)更低，因此能夠具有更窄的P型重摻雜區(qū)、P型基區(qū)和源區(qū)，以縮小器件的元胞寬度，增加器件的溝道密度，降低器件的溝道電阻，而不額外增加器件的JFET電阻。